[发明专利]共接触部半导体器件封装

权利要求书

1.一种半导体器件封装，包括：

导电夹，所述导电夹包括凹部并且被配置为沿着限定所述凹部的边界的第一表面和第二表面安装到衬底；以及

包括第一晶体管和第二晶体管的至少两个垂直沟道晶体管，所述至少两个垂直沟道晶体管具有相同的类型并且以相同的取向安装在所述凹部内，使得漏极接触部或源极接触部耦合到所述导电夹，并且使得：

栅极接触部和源极接触部或漏极接触部延伸而在所述凹部内被暴露并且沿着所述导电夹的相同长轴延伸；

所述第一晶体管的暴露的源极接触部或漏极接触部被配置为电耦合到所述衬底上的用作第一半桥电路的开关节点的第一迹线，并且所述第二晶体管的暴露的源极接触部或漏极接触部被配置为电耦合到所述衬底上的用作第二半桥电路的开关节点的第二迹线，其中，所述导电夹的长轴被配置为垂直于所述第一迹线和所述第二迹线的长轴，并且其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管被配置为分别用作所述第一半桥电路和所述第二半桥电路的高侧晶体管或者分别用作所述第一半桥电路和所述第二半桥电路的低侧晶体管。

2.根据权利要求1所述的半导体器件封装，其中，所述至少两个垂直沟道晶体管中的每一个垂直沟道晶体管的所述漏极接触部电耦合到所述导电夹，并且所述栅极接触部和所述源极接触部延伸而在所述凹部内被暴露并且沿着所述导电夹的所述相同长轴延伸。

3.根据权利要求1所述的半导体器件封装，其中，所述至少两个垂直沟道晶体管中的每一个垂直沟道晶体管的所述源极接触部电耦合到所述导电夹，并且所述栅极接触部和所述漏极接触部延伸而在所述凹部内被暴露并且沿着所述导电夹的所述相同长轴延伸。

4.根据权利要求1所述的半导体器件封装，其中，所述至少两个垂直沟道晶体管中的每一个垂直沟道晶体管是不同的半导体管芯。

5.根据权利要求1所述的半导体器件封装，其中，所述至少两个垂直沟道晶体管集成在公共半导体管芯内。

6.一种半导体封装系统，包括：

第一半导体封装，所述第一半导体封装包括第一导电夹和第一多个晶体管，其中：

所述第一导电夹包括凹部并且被配置为沿着所述第一导电夹的限定所述凹部的边界的第一表面和第二表面安装到衬底；并且

所述第一多个晶体管包括至少两个垂直沟道晶体管，所述至少两个垂直沟道晶体管具有相同的类型并且以相同的取向安装在所述第一导电夹的所述凹部内，使得漏极接触部耦合到所述第一导电夹，并且使得：

栅极接触部和源极接触部延伸而在所述凹部内被暴露并且沿着所述第一导电夹的相同长轴延伸；

所述第一多个晶体管中的第一晶体管的暴露的源极接触部或漏极接触部被配置为电耦合到所述衬底上的用作第一半桥电路的开关节点的第一迹线，并且所述第一多个晶体管中的第二晶体管的暴露的源极接触部或漏极接触部被配置为电耦合到所述衬底上的用作第二半桥电路的开关节点的第二迹线，其中，所述第一导电夹的长轴被配置为垂直于所述第一迹线和所述第二迹线的长轴，并且其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管被配置为分别用作所述第一半桥电路和所述第二半桥电路的高侧晶体管，以及

第二半导体封装，所述第二半导体封装包括第二导电夹和第二多个晶体管，其中：

所述第二导电夹包括凹部并且被配置为沿着所述第二导电夹的限定所述凹部的边界的第一表面和第二表面安装到所述衬底；并且

所述第二多个晶体管包括至少两个垂直沟道晶体管，所述至少两个垂直沟道晶体管具有相同的类型并且以相同的取向安装在所述第二导电夹的所述凹部内，使得源极接触部耦合到所述第二导电夹，并且使得：

栅极接触部和漏极接触部延伸而在所述凹部内被暴露并且沿着所述第二导电夹的相同长轴延伸；

所述第二多个晶体管中的第三晶体管的暴露的源极接触部或漏极接触部被配置为电耦合到所述第一迹线，并且所述第二多个晶体管中的第四晶体管的暴露的源极接触部或漏极接触部被配置为电耦合到所述第二迹线，其中，所述第二导电夹的长轴被配置为垂直于所述第一迹线和所述第二迹线的长轴，并且其中，所述第三晶体管和所述第四晶体管被配置为分别用作所述第一半桥电路和所述第二半桥电路的低侧晶体管。