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[发明专利]用于功率级模块和集成电感器的具有载体框架的功率级设备-CN202010089969.6有效
发明人： P·帕尔姆;赵应山 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-02-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：一种功率设备包括：框架，所述框架具有电绝缘材料、电绝缘材料中的开口、以及延伸穿过电绝缘材料的电导体。固定在开口中的功率级模块具有在功率级模块的第一侧处的输出端子、以及在功率级模块的与第一侧相对的第二侧处的电源端子、接地端子和多个输入/输出(I/O)端子。无源部件具有附接到功率级模块的输出端子的第一端子和附接到框架的电导体的第二端子。无源部件具有比功率级模块更大的占用面积。框架扩大功率级模块的占用面积，以容纳无源部件到功率设备的安装。框架具有比功率级模块更低的互连密度。
用于功率模块集成电感器具有载体框架设备

[发明专利]半导体器件和用于构造半导体器件的方法-CN201810613513.8有效
发明人： 赵应山;达尼·克拉夫特;达里尔·加利波 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H05K1/14 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件和用于构造半导体器件的方法。在一个示例中，该方法包括在第一印刷电路板的一个或更多个接触垫的每个接触垫中钻出空腔以形成一个或更多个空腔。第一印刷电路板包括嵌入式集成电路和一个或更多个金属层。该方法还包括在第一印刷电路板的底表面之下形成用于第二印刷电路板的一个或更多个第一金属层。该方法还包括在一个或更多个空腔中形成导电材料。导电材料将第一印刷电路板的一个或更多个接触垫电耦合至第二印刷电路板。该方法还包括在第一印刷电路板的顶表面之上形成用于第二印刷电路板的一个或更多个第二金属层。
半导体器件用于构造方法

[发明专利]具有电隔离电介质衬层的嵌入式封装-CN202211327552.4在审
发明人： 赵应山 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：一种半导体封装，包括：封装衬底，其包括内部层压层、设置在所述内部层压层下方的第一金属化层、以及设置在所述内部层压层上方的第二金属化层；第一半导体管芯，其包括设置在所述第一半导体管芯的第一表面上的第一负载端子、以及设置在所述第一半导体管芯的与所述第一半导体管芯的所述第一表面相对的第二表面上的第二负载端子；以及电介质材料的衬层，在所述第一半导体管芯上；其中，所述第一半导体管芯嵌入在所述内部层压层内，使得所述第一半导体管芯的所述第一表面面向所述第二金属化层，并且其中，所述电介质材料的衬层设置在所述第一半导体管芯的拐角上，所述拐角在所述第一半导体管芯的所述第一负载端子与所述第二负载端子之间。
具有隔离电介质嵌入式封装

[发明专利]具有至无源器件的低寄生连接的半导体封装-CN202210848742.4在审
发明人： U·梅迪茨;赵应山;T·纳耶夫 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：公开了一种半导体组件，其包括：半导体封装，其包括嵌入在封装主体内的第一晶体管管芯和第二晶体管管芯，所述第一晶体管管芯和所述第二晶体管管芯横向并排布置在所述封装主体内，使得所述第一晶体管管芯的第一负载端子面向所述封装主体的上表面，并且使得所述第二晶体管管芯的第二负载端子面向所述封装主体的上表面，以及分立电容器，其安装在所述半导体封装上，使得所述分立电容器的第一端子直接位于所述第一晶体管管芯的所述第一负载端子之上并且电连接到所述第一晶体管管芯的所述第一负载端子，并且使得所述分立电容器的第二端子直接位于所述第二晶体管管芯的所述第二负载端子之上并且与所述第二晶体管管芯的所述第二负载端子电连接。
具有无源器件寄生连接半导体封装

[发明专利]天线封装及其形成方法-CN202111079207.9在审
发明人： 赵应山;A·巴赫蒂;S·特罗塔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：本公开的实施例包括天线封装及其形成方法。一种半导体系统包括：半导体芯片，该半导体芯片包括RF电路、RF电路之上的缓冲层和缓冲层之上的多个凸块，其中多个凸块包括电连接到RF电路的至少一个功能凸块和至少一个伪凸块，通过缓冲层使至少一个伪凸块与RF电路保持一距离并防止其电连接到RF电路；导电层，设置在半导体芯片之上并经过多个通孔耦合到多个凸块；馈线结构，设置在导电层之上，其中馈线结构电耦合到RF电路；以及多个天线，设置在馈线结构之上，其中多个天线中的至少一个天线经过馈线结构耦合到RF电路。
天线封装及其形成方法

[发明专利]具有过孔结构的天线封装及其形成方法-CN202110948619.5在审
发明人： 赵应山;A·巴赫蒂;S·特罗塔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：本公开涉及具有过孔结构的天线封装及其形成方法。例如，一种半导体器件，包括：半导体芯片，包括射频(RF)电路；馈线结构，耦合到RF电路；以及天线结构，包括沿与半导体器件的正侧和背侧中的至少一侧正交的方向扩展的主体，其中天线结构通过馈线结构耦合到RF电路。
具有结构天线封装及其形成方法

[发明专利]用于芯片嵌入式衬底的输入/输出引脚-CN201711044146.6有效
发明人： 赵应山;D·克拉韦特 -专利权人：英飞凌科技美国公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：用于芯片嵌入式衬底的输入/输出引脚可以通过以下步骤制作：将不同接触体积的焊料施加到凹陷在所述芯片嵌入式衬底内的至少两个接触部，温度循环所述芯片嵌入式衬底以引起焊料回流并为所述至少两个接触部中的每一个限定输入/输出引脚，以及为所述至少两个接触部中的每一个加工所述输入/输出引脚，以便从所述芯片嵌入式衬底暴露并延伸到规定公差内的共同高度。这种技术代表了一种范式转移，其中，芯片嵌入式衬底的制造商而不是制造商的直接客户可能承担最小化所述输入/输出引脚下方的非期望的焊料空隙捕获方面的质量控制的责任，从而增强现有客户的忠诚度并潜在地吸引新客户。
用于芯片嵌入式衬底输入输出引脚

[发明专利]具有用于将电感器连接到一个或一个以上晶体管的预成形电连接部的功率开关封装-CN201710710220.7有效
发明人： 赵应山;D·克拉韦特 -专利权人：英飞凌科技美国公司
申请日： 2017-08-18 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：在一些示例中，装置包括在第一绝缘层内的集成电路、电感器、和布置在所述第一绝缘层与所述电感器之间的第二绝缘层。所述第一绝缘层与所述第二绝缘层共享界面，所述电感器附接到所述第二绝缘层。所述装置还包括导电路径，所述导电路径被配置成用来在所述IC与所述电感器之间导电，其中，所述导电路径在所述第二绝缘层内。
具有用于电感器接到一个以上晶体管成形连接功率开关封装

[发明专利]半导体封装及其制造方法-CN202110115898.7在审
发明人： 赵应山;T·纳耶夫;P·帕尔姆 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本文描述的半导体封装包括热电容器和/或凹陷的焊盘特征，该热电容器被设计为吸收来自功率半导体管芯的瞬态热脉冲，并且随后将瞬态热脉冲释放到周围环境。还描述了对应的生产方法。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]具有由功率半导体管芯的负载端子接合焊盘形成的可焊接接触焊盘的半导体封装及制造方法-CN202110116388.1在审
发明人： 赵应山;T·纳耶夫;P·帕尔姆 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：一种半导体封装包括：绝缘衬底，所述绝缘衬底具有相对的第一主侧和第二主侧；功率半导体管芯，所述功率半导体管芯嵌入衬底中并且比所述衬底薄或与所述衬底一样厚，并且包括在面对与衬底的第一主侧相同的方向的第一侧处的第一负载端子接合焊盘，在面对与衬底的第二主侧相同的方向的第二侧处的第二负载端子接合焊盘，以及控制端子接合焊盘；导电的第一过孔，其在外围区域中延伸穿过所述衬底；第一金属化部，其在衬底的第一主侧处将第一负载端子接合焊盘连接到第一过孔；可焊接的第一接触焊盘，其在衬底的第二主侧处并且由第一过孔形成；以及可焊接的第二接触焊盘，其在衬底的第二主侧处并且由第二负载端子接合焊盘形成。
具有功率半导体管芯负载端子接合形成焊接接触封装制造方法

[发明专利]共接触部半导体器件封装-CN201711374979.9有效
发明人： 赵应山 -专利权人：英飞凌科技美洲公司
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明涉及一种共接触部半导体器件封装。具体而言，一种半导体器件封装，包括导电夹，所述导电夹具有凹部并且被配置为沿着限定所述凹部的边界的第一表面和第二表面安装到衬底，并且所述半导体器件封装包括至少两个垂直沟道晶体管，所述至少两个垂直沟道晶体管具有相同的类型并且以相同的取向安装在所述凹部内，使得漏极接触部或源极接触部耦合到所述导电夹，并且使得栅极接触部和源极接触部或漏极接触部延伸而在所述凹部内被暴露并且沿着所述导电夹的相同长轴延伸。
接触半导体器件封装

[发明专利]空间高效且低寄生的半桥-CN202110052552.7在审
发明人： R·费勒;赵应山;D·卡尔韦蒂;P·帕尔姆 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：一种封装半桥电路包括：载体，具有介电芯和形成在载体的上表面上的第一金属化层；第一半导体芯片和第二半导体芯片，每个半导体芯片包括第一端子、第二端子和控制端子；以及导电连接器，其安装在载体的上表面上并且电连接到第一金属化层。第一半导体芯片被配置为半桥电路的高侧开关。第二半导体芯片被配置为半桥电路的低侧开关。第一半导体芯片和第二半导体芯片中的至少一个被嵌入在载体的介电芯内。导电连接器电连接到来自第一半导体芯片和第二半导体芯片中的一个或两个的第一端子和第二端子中的一个。
空间高效寄生

[发明专利]具有公共连接结构的多相功率转换器-CN201710930599.2有效
发明人： 赵应山 -专利权人：英飞凌科技美国公司
申请日： 2017-10-09 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：一些示例中，一种装置包括至少两个半导体裸片，其中，所述至少两个半导体裸片中的每个相应的半导体裸片包括至少两个功率晶体管，在所述相应的半导体裸片的第一侧上的输入节点，在所述相应的半导体裸片的第一侧上的参考节点，和在所述相应的半导体裸片的第二侧上的开关节点。所述装置还包括电连接到所述至少两个半导体裸片的相应的输入节点的第一导电元件。所述装置还包括电连接到所述至少两个半导体裸片的相应的参考节点的第二导电元件。
具有公共连接结构多相功率转换器

[发明专利]多相公共接触部封装体-CN201710867378.5有效
发明人： 赵应山 -专利权人：英飞凌科技美国公司
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：在一些示例中，一种装置包括第一引线框架段和第二引线框架段，其中，所述第二引线框架段与所述第一引线框架段电隔离。所述装置还包括至少四个晶体管，所述至少四个晶体管包括电连接到所述第一引线框架段的至少两个高压侧晶体管和电连接到所述第二引线框架段的至少两个低压侧晶体管。所述装置还包括至少两个导电输出元件，其中，所述至少两个导电输出元件中的每个导电输出元件电连接到所述至少两个高压侧晶体管中的相应的高压侧晶体管和所述至少两个低压侧晶体管中的相应的低压侧晶体管。所述装置还包括电连接到所述至少四个晶体管中的每个晶体管的控制端子的集成电路。
多相公共接触封装

[发明专利]单侧功率装置封装体-CN201710598826.6有效
发明人： 赵应山 -专利权人：英飞凌科技美国公司
申请日： 2017-07-21 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：在一些示例中，电路封装体包括绝缘层和延伸穿过所述绝缘层的第一晶体管，其中，所述第一晶体管包括在所述绝缘层的顶侧的第一控制端子、在绝缘层的顶侧的第一源极端子和在绝缘层的底侧的第一漏极端子。所述电路封装体还包括延伸穿过所述绝缘层的第二晶体管，其中，所述第二晶体管包括在绝缘层的顶侧的第二控制端子、在绝缘层的底侧的第二源极端子和在绝缘层的顶侧的第二漏极端子。
功率装置封装

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