[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201711373091.3 | 申请日： | 2017-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN108511414A | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 佐久间哲也 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L23/29;H01L21/768;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 邓毅;徐丹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置和该半导体装置的制造方法，即使在被激光微调的熔断器元件上的保护绝缘膜的膜厚较厚的情况下，也能够在基底绝缘膜上不产生裂纹的情况下稳定地进行熔断器元件的熔断。采用如下的结构：在包括激光照射部的熔断器元件中具备对激光照射部的侧面与底面之间的角部进行倒角而成的斜面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 熔断器元件 激光照射部 熔断 保护绝缘膜 基底绝缘膜 激光微调 倒角 底面 角部 膜厚 制造 侧面 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，该半导体装置具有：半导体衬底；基底绝缘膜，其设置在所述半导体衬底上；熔断器元件，其形成在所述基底绝缘膜上，包括具有长度方向和宽度方向的激光照射部；以及保护绝缘膜，其覆盖所述熔断器元件，所述半导体装置的特征在于，所述激光照射部在所述长度方向上具备斜面，所述斜面是通过对如下的角部分别进行倒角而设置的：所述激光照射部的与所述基底绝缘膜相接触的底面和所述激光照射部的位于所述宽度方向上的一个端部的第1侧面之间的角部，及所述底面和所述激光照射部的位于所述宽度方向上的另一个端部的第2侧面之间的角部。
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