[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法

说明书

本发明提供半导体装置和该半导体装置的制造方法，即使在被激光微调的熔断器元件上的保护绝缘膜的膜厚较厚的情况下，也能够在基底绝缘膜上不产生裂纹的情况下稳定地进行熔断器元件的熔断。采用如下的结构：在包括激光照射部的熔断器元件中具备对激光照射部的侧面与底面之间的角部进行倒角而成的斜面。

技术领域

本发明涉及半导体装置和半导体装置的制造方法，特别涉及具备通过照射激光而进行熔断的熔断器元件的半导体装置和半导体装置的制造方法。

背景技术

已知如下方法：在半导体装置中通过照射激光而将使用了多晶硅和金属、高熔点金属等的熔断器元件熔断，从而进行电阻值的调节和备用电路的微调。

在图8的(a)中示出了现有的熔断器元件的平面图，此外在图8的(b)中示出了图8的(a)的A-A’的截面图。熔断器元件53例如如图8的(a)所示，由激光照射部63和包括激光照射部63的两端的接触区域61的接触部64构成。此外，该熔断器元件53由多晶硅和金属这样的导电体构成，并如图8的(b)所示，形成在由半导体衬底51上的氧化硅膜等构成的基底绝缘膜52之上。在熔断器元件53上形成有氧化硅膜等保护绝缘膜54。在使熔断器熔断的情况下，通过从熔断器元件53的上方如图8的(b)所示照射激光L来对熔断器元件53的激光照射部63进行加热，从而使之熔融汽化而爆炸飞散。

在专利文献1中公开了如下技术：为了抑制因激光的高能量化而产生的下层衬底的裂纹，能够利用低能量的激光进行熔断的熔断器元件的技术。

专利文献1：日本特开昭60-91654号公报

但是，随着半导体装置的集成化的进步，发明者发现，当金属配线的层叠数且层间绝缘膜的层数增加从而保护绝缘膜的膜厚增厚时，基底绝缘膜变得容易产生裂纹。

如图9所示，在保护绝缘膜74的膜厚较薄的情况下，在熔断器元件熔断后，保护绝缘膜74成为随着朝向上方而以放射状消失的截面形状。图10为保护绝缘膜较厚的情况下的熔断器熔断后的图。当保护绝缘膜84较厚时，如图10所示，熔融汽化能量还会波及到熔断器元件下方的基底绝缘膜82，并产生斜向下朝向2个方向的裂纹86。

而且，所需的激光的能量的下限值与上限值的差明显变小，当保护绝缘膜84的膜厚为基底绝缘膜82的膜厚的2倍以上时，显然是难以稳定地对熔断器元件进行熔断的。

当保护绝缘膜84较厚时需要较高的激光能量。推测其原因，是因为保护绝缘膜84的破坏强度增大，如果不对应增大的强度而照射较高的能量的激光则无法使保护绝缘膜84飞散。此外，关于当保护绝缘膜84增厚时在基底绝缘膜82上容易产生裂纹86，考虑是因为当保护绝缘膜84的强度增大时，在熔断器元件熔融汽化时保护绝缘膜84不易飞散，由此朝向斜向下2个方向的角部的应力的比例增加。

发明内容

因此，本发明的课题在于提供能够抑制基底绝缘膜的裂纹从而稳定地对熔断器元件进行熔断的半导体装置和半导体装置的制造方法。

为了解决上述课题，本发明采用了如下的半导体装置和半导体装置的制造方法。

即一种半导体装置，其具备：基底绝缘膜；熔断器元件，其形成在所述基底绝缘膜上，包括具有长度方向和宽度方向的激光照射部；以及保护绝缘膜，其覆盖所述熔断器元件，所述半导体装置的特征在于，所述激光照射部在所述长度方向上具备斜面，所述斜面是通过对如下的角部分别进行倒角而设置的：所述激光照射部的与所述基底绝缘膜相接触的底面和所述激光照射部的位于所述宽度方向上的一个端部的第1侧面之间的角部，及所述底面和所述激光照射部的位于所述宽度方向上的另一个端部的第2侧面之间的角部。