[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，该半导体装置具有：

半导体衬底；

基底绝缘膜，其设置在所述半导体衬底上；

熔断器元件，其形成在所述基底绝缘膜上，包括具有长度方向和宽度方向的激光照射部；以及

保护绝缘膜，其覆盖所述熔断器元件，

所述半导体装置的特征在于，

所述激光照射部在所述长度方向上具备斜面，所述斜面是通过对如下的角部分别进行倒角而设置的：所述激光照射部的与所述基底绝缘膜相接触的底面和所述激光照射部的位于所述宽度方向上的一个端部的第1侧面之间的角部，及所述底面和所述激光照射部的位于所述宽度方向上的另一个端部的第2侧面之间的角部。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述斜面分别与所述激光照射部的上表面连接。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述斜面分别为向所述激光照射部的外侧凸出的曲面。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述激光照射部的上表面为与所述底面平行的面。

5.根据权利要求1或3所述的半导体装置，其特征在于，

所述激光照射部的上表面具有以与所述底面平行的面为底部的凹部。

6.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该半导体装置的制造方法具有：

基底绝缘膜形成工序，在半导体衬底上形成基底绝缘膜；

熔断器层形成工序，在所述基底绝缘膜上形成熔断器层；

绝缘层掩模形成工序，在所述熔断器层上堆积绝缘层，并在所述绝缘层的熔断器元件形成预定区域形成绝缘层掩模；

熔断器元件形成工序，以所述绝缘层掩模为蚀刻掩模对所述熔断器层进行干蚀刻，形成对熔断器元件的底面与侧面之间的角部进行了倒角的熔断器元件；以及

保护绝缘膜形成工序，在所述熔断器元件上形成保护绝缘膜。

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述熔断器元件形成工序中，对所述熔断器层进行蚀刻而使所述基底绝缘膜露出，并在与对所述熔断器层进行蚀刻相同的条件下进行过蚀刻，由此形成对所述底面与侧面之间的角部进行了倒角的熔断器元件。

8.根据权利要求6或7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述绝缘层掩模为光致抗蚀剂。

9.根据权利要求6或7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述绝缘层掩模为氧化硅膜。

10.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该半导体装置的制造方法具有：

基底绝缘膜形成工序，在半导体衬底上形成基底绝缘膜；

绝缘膜凹部形成工序，在所述基底绝缘膜的熔断器元件形成预定区域中，通过各向同性蚀刻而形成凹部；

熔断器层形成工序，在包含所述凹部的所述基底绝缘膜上形成熔断器层；

绝缘层掩模形成工序，在所述熔断器层上堆积绝缘层，并在所述绝缘层的熔断器元件形成预定区域中形成绝缘层掩模；

熔断器元件形成工序，以所述绝缘层掩模为蚀刻掩模而对所述熔断器层进行干蚀刻，形成对熔断器元件的底面与侧面之间的角部进行了倒角的熔断器元件；以及

保护绝缘膜形成工序，在所述熔断器元件上形成保护绝缘膜。