[发明专利]用于系统级封装的TSV转接板及其制备方法有效
| 申请号： | 201711352521.3 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN107994000B | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 张捷 | 申请（专利权）人： | 浙江清华柔性电子技术研究院 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/60;H01L21/60 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于系统级封装的TSV转接板及其制备方法，该方法包括：S101、选取Si衬底；S102、刻蚀所述Si衬底形成TSV，填充后形成TSV区；S103、刻蚀所述Si衬底在所述TSV区之间形成至少一个隔离沟槽，填充后形成隔离区；S104、在所述隔离区上制备二极管；S105、在所述TSV区的第一端面与所述二极管之间形成互连线；S106、在所述TSV区的第二端面制备金属凸点以完成所述TSV转接板的制备。本发明提供的TSV转接板通过在TSV转接板上加工二极管作为ESD防护器件，解决了基于TSV工艺的集成电路系统级封装抗静电能力弱的问题，增强了集成电路系统级封装的抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 系统 封装 tsv 转接 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于系统级封装的TSV转接板的制备方法，其特征在于，包括：S101、选取Si衬底；S102、刻蚀所述Si衬底形成TSV，填充后形成TSV区；S103、刻蚀所述Si衬底在所述TSV区之间形成至少一个隔离沟槽，填充后形成隔离区；S104、在所述隔离区上制备二极管；S105、在所述TSV区的第一端面与所述二极管之间形成互连线；S106、在所述TSV区的第二端面制备金属凸点以完成所述TSV转接板的制备。
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