[发明专利]多晶硅肖特基二极管的制作方法有效
| 申请号： | 201711351320.1 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108155097B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 唐冬;刘旸 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/04;H01L29/16 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 许宗富;周秀梅 |
| 地址： | 110032 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅肖特基二极管的制造方法，属于分立器件领域。该方法通过对势垒区的形成结构进行改进，获得具有单晶和多晶混合结构的多晶硅肖特基二极管。本发明实现了多晶硅肖特基二极管，实现了多晶硅材料和工艺在肖特基二极管中的引入，提高产品本身的性能，推广器件的广泛使用。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 硅肖特基 二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅肖特基二极管的制作方法，其特征在于：该方法首先在单晶硅外延片上刻蚀，形成多晶硅淀积区域；然后在该多晶硅淀积区域上淀积多晶硅，形成单晶和多晶硅的混合结构；然后在该混合结构上制备势垒金属层，并进一步形成具有单晶和多晶混合势垒的多晶硅肖特基二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
