[发明专利]一种非对称MOSFET器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201711342250.3 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108110058A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 陈利;张军亮;姜帆;刘玉山;徐承福 | 申请（专利权）人： | 福建晋润半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362200 福建省泉州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种非对称MOSFET器件及其制备方法，其包括半导体基板和位于半导体基板中心区的元胞区；所述元胞区的元胞沟槽位于相邻第二导电类型柱之间，所述第二导电类型柱从所述第一导电类型外延层的顶部垂直向下延伸，所述元胞沟槽内设置有绝缘氧化层，所述绝缘氧化层覆盖元胞沟槽的侧壁和底壁，还覆盖在元胞沟槽槽口外侧的第一导电类型外延层上；所述元胞沟槽内填充有导电多晶硅，所述导电多晶硅覆盖在元胞沟槽槽口外的绝缘氧化层上。采用这种非对称结构后，左边元胞结构可以改变雪崩时电流的流经通道，使得MOSFET器件关断时规避第一导电类型外延层的电阻，避免NPN管开启，从而提高雪崩耐量；而右边的元胞结构又可以保证导通电阻不会太小。 | ||
| 搜索关键词： | 元胞沟槽 第一导电类型 绝缘氧化层 外延层 半导体基板 导电多晶硅 导电类型 元胞结构 非对称 元胞区 槽口 制备 覆盖 非对称结构 垂直向下 导通电阻 流经通道 雪崩耐量 中心区 侧壁 底壁 电阻 关断 雪崩 填充 延伸 保证 | ||
【主权项】：
1.一种非对称MOSFET器件，包括半导体基板和位于半导体基板中心区的元胞区，所述半导体基板包括第一导电类型衬底和位于第一导电类型衬底上方的第一导电类型外延层；其特征在于：所述元胞区的元胞沟槽位于相邻第二导电类型柱之间，所述第二导电类型柱从所述第一导电类型外延层的顶部垂直向下延伸；所述元胞沟槽的深度小于第二导电类型柱在第一导电类型外延层内的深度；所述元胞沟槽的侧壁外上方设置第二导电类型基区，所述第二导电类型基区与元胞沟槽的侧壁以及相应的第二导电类型柱接触；在第二导电类型基区内设置第一导电类型源区；所述元胞沟槽内设置有绝缘氧化层，所述绝缘氧化层覆盖元胞沟槽的侧壁和底壁，还覆盖在元胞沟槽槽口外侧的第一导电类型外延层上；所述元胞沟槽内填充有导电多晶硅，所述导电多晶硅覆盖在元胞沟槽槽口外的绝缘氧化层上；所述第一导电类型外延层上设置有金属层，所述金属层包括源极金属和栅极金属，所述源极金属与第一导电类型源区、第二导电类型基区和第二导电类型柱欧姆接触，通过绝缘介质层与导电多晶硅绝缘隔离，并填充在接触孔内；所述栅极金属与导电多晶硅欧姆接触；所述绝缘介质层覆盖在第一导电类型外延层以及导电多晶硅上；所述接触孔贯通所述绝缘介质层，对准第二导电类型柱、第二导电类型基区和第一导电类型源区。
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