[发明专利]具有晶闸管的存储器电路在审
申请号: | 201711332358.4 | 申请日: | 2017-12-13 |
公开(公告)号: | CN108231768A | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 黄立平 | 申请(专利权)人: | 钰创科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/102 | 分类号: | H01L27/102;H01L29/06;H01L29/423 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀纯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有晶闸管的存储器电路包含多个存储单元。所述多个存储单元中的每一存储单元包含一存取晶体管和一晶闸管。所述晶闸管是耦接所述存取晶体管。所述存取晶体管的栅极和所述晶闸管的栅极的其中至少一具有一鳍式结构。因此,因为所述存取晶体管的栅极和所述晶闸管的栅极的其中至少一具有所述鳍式结构,所以相较于现有技术,本发明可以很容易地微缩所述存储器电路以进入一高端半导体工艺。 | ||
搜索关键词: | 晶闸管 存取晶体管 存储器电路 存储单元 鳍式结构 半导体工艺 高端 微缩 耦接 | ||
【主权项】:
1.一种具有晶闸管的存储器电路,包含:多个存储单元,其中每一存储单元包含:一存取晶体管;及一晶闸管,耦接所述存取晶体管;其特征在于还包含:所述存取晶体管的栅极和所述晶闸管的栅极的其中至少一具有一鳍式结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的