[发明专利]晶圆、堆叠式半导体装置及其制造方法

摘要

本公开涉及晶圆、堆叠式半导体装置及其制造方法。一个实施例提供了一种堆叠式半导体装置，包括第一衬底；在第一衬底上的第一层间绝缘层和镶嵌在其中的第一金属连线；在第一层间绝缘层和第一金属连线上的第一电介质层和金属凸块，金属凸块与第一金属连线接触并嵌在第一电介质层中；在第一电介质层和金属凸块上的第二电介质层和通孔部件，通孔部件在第二电介质层中并与金属凸块接触，第二电介质层与第一电介质层接触；在第二电介质层和通孔部件上的第二层间绝缘层和镶嵌在其中的第二金属连线，第二金属连线与通孔部件接触；和在第二层间绝缘层和第二金属连线上的第二衬底，第一金属连线与第二金属连线通过通孔部件和金属凸块而电连接在一起。

主权项

一种堆叠式半导体装置，其特征在于，包括：第一衬底；位于第一衬底上的第一层间绝缘层和镶嵌在第一层间绝缘层中的第一金属连线；位于第一层间绝缘层和第一金属连线上的第一电介质层和一个或更多个金属凸块，所述金属凸块与第一金属连线接触并且嵌在第一电介质层中；位于第一电介质层和金属凸块上的第二电介质层和一个或更多个通孔部件，所述通孔部件形成在第二电介质层中并且与金属凸块接触，第二电介质层与第一电介质层接触；位于第二电介质层和通孔部件上的第二层间绝缘层和镶嵌在第二层间绝缘层中的第二金属连线，第二金属连线与通孔部件接触；以及位于第二层间绝缘层和第二金属连线上的第二衬底，其中第一金属连线与第二金属连线通过至少一个通孔部件和至少一个金属凸块而电连接在一起。