[发明专利]电容器阵列结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201711273289.4 | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN108336068B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 请求不公布姓名 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H10B12/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电容器阵列结构及其制造方法，电容器阵列结构设置于半导体衬底上，电容器阵列结构包括下电极层、粘附层、电容介质层及上电极，下电极层位于半导体衬底上；粘附层覆盖于下电极层的内表面及外表面，用于提高下电极层与电容介质层之间的粘附力，以防止下电极层与电容介质层相剥离；电容介质层覆盖于粘附层的内表面及外表面；上电极层覆盖于电容介质层的外表面。本发明的电容器阵列结构通过在下电极层与电容介质层之间设置粘附层，可以改善电容介质层与下电极层之间的黏着性，从而有效避免电容介质层从下电极层表面剥离，提高电容介质层的可靠性，避免漏电流的异常增加。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 阵列 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电容器阵列结构，其特征在于，所述电容器阵列结构设置于半导体衬底上，所述电容器阵列结构包括下电极层、粘附层、电容介质层及上电极，其中，所述下电极层位于所述半导体衬底上；所述粘附层覆盖于所述下电极层的内表面及外表面，用于提高所述下电极层与所述电容介质层之间的粘附力，以防止所述下电极层与所述电容介质层相剥离；所述电容介质层覆盖于所述粘附层的内表面及外表面；及，所述上电极层覆盖于所述电容介质层的外表面。
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