[发明专利]电容器阵列结构及其制造方法

权利要求书

1.一种电容器阵列结构，其特征在于，所述电容器阵列结构设置于半导体衬底上，所述电容器阵列结构包括下电极层、粘附层、电容介质层及上电极层，其中，

所述下电极层位于所述半导体衬底上；

所述粘附层覆盖于所述下电极层的内表面及外表面，用于提高所述下电极层与所述电容介质层之间的粘附力，以防止所述下电极层与所述电容介质层相剥离；所述粘附层为所述下电极层中所含金属的金属氧化物层；

所述电容介质层覆盖于所述粘附层的内表面及外表面；及，

所述上电极层覆盖于所述电容介质层的外表面。

2.根据权利要求1所述的电容器阵列结构，其特征在于：所述下电极层、所述电容介质层及所述上电极层均包括金属化合物层。

3.根据权利要求2所述的电容器阵列结构，其特征在于：所述下电极层的材料包括氮化钛，所述电容介质层的材料包括氧化锆，所述粘附层的材料包括氧化钛。

4.根据权利要求1所述的电容器阵列结构，其特征在于：所述粘附层的厚度与所述下电极层的厚度之比小于2:3。

5.根据权利要求1所述的电容器阵列结构，其特征在于：所述下电极层的截面形状为U型。

6.根据权利要求1所述的电容器阵列结构，其特征在于：所述半导体衬底上形成有多个在内存数组结构中的焊盘，所述下电极层的底部下表面接合于所述焊盘。

7.根据权利要求1所述的电容器阵列结构，其特征在于：所述电容器阵列结构还包括支撑结构，形成于所述半导体衬底上并连接所述下电极层；所述支撑结构包括顶层支撑层、中间支撑层及底层支撑层，所述顶层支撑层连接所述下电极层的开口外围，所述中间支撑层连接所述下电极层的中间部位，所述底层支撑层连接所述下电极层的底部外围。

8.根据权利要求7所述的电容器阵列结构，其特征在于：所述支撑结构的边缘为帘幕波浪形，且所述支撑结构的角隅为圆弧形。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的电容器阵列结构，其特征在于：所述粘附层的阳离子元素取自于所述下电极层的表面金属元素而自生成，所述粘附层的阴离子元素不相同于所述下电极层的阴离子元素，使所述粘附层与所述下电极层之间为无孔隙结合。

10.根据权利要求9所述的电容器阵列结构，其特征在于：所述粘附层的阴离子元素相同于所述电容介质层的阴离子元素。

11.一种电容器阵列结构的制造方法，其特征在于，所述电容器阵列结构的制造方法包括如下步骤：

1）提供一半导体衬底；

2）于所述半导体衬底的上表面形成交替叠置的牺牲层及支撑结构；

3）于所述交替叠置的牺牲层及支撑结构的上表面形成图形化掩膜层，所述图形化掩膜层具有多个开孔，用于定义电容孔的位置及形状；

4）依据所述图形化掩膜层刻蚀所述支撑结构及所述牺牲层，以在所述支撑结构及所述牺牲层内形成电容孔；

5）于所述电容孔内形成下电极层，所述支撑结构连接所述下电极层；

6）去除所述牺牲层，其中，所述支撑结构保留在所述半导体衬底上；

7）于所述下电极层的内表面及外表面形成粘附层，其中，所述粘附层覆盖所述下电极层，用于提高所述下电极层与后续形成的电容介质层之间的粘附力，防止所述下电极层与电容介质层相剥离；

8）于所述粘附层的内表面及外表面形成电容介质层，其中，所述电容介质层覆盖所述粘附层；及，

9）于所述电容介质层的外表面形成上电极层，其中，所述上电极层覆盖所述电容介质层。