[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201711241953.7 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109860291B | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高磊;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底和凸出于衬底的鳍部，鳍部包括位于衬底表面的鳍部第一部分和位于鳍部第一部分顶部的鳍部第二部分；在鳍部第一部分侧壁上形成第一衬垫层；在第一衬垫层表面、鳍部第二部分顶部及侧壁上形成第二衬垫层；在衬底上形成覆盖第二衬垫层的隔离膜，隔离膜顶部高于鳍部顶部或与鳍部顶部齐平；去除高于鳍部第一部分顶部的第二衬垫层及隔离膜，剩余隔离膜形成隔离层；在隔离层露出的鳍部顶部及侧壁表面形成栅氧化层。本发明中，第一衬垫层及第二衬垫层能够有效减弱隔离层对鳍部侧壁施加的应力大小，从而避免鳍部发生弯曲，并且形成隔离层的工艺窗口大，有助于提高隔离层的形成质量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构形成方法，其特征在于，包括：提供衬底和凸出于所述衬底的鳍部，所述鳍部包括位于衬底表面的鳍部第一部分和位于所述鳍部第一部分顶部的鳍部第二部分；在所述鳍部第一部分侧壁上形成第一衬垫层；在所述第一衬垫层表面、所述鳍部第二部分顶部及侧壁上形成第二衬垫层；在所述衬底上形成覆盖所述第二衬垫层的隔离膜，所述隔离膜顶部高于所述鳍部顶部或与所述鳍部顶部齐平；去除高于所述鳍部第一部分顶部的第二衬垫层以及隔离膜，剩余隔离膜形成隔离层；在所述隔离层露出的所述鳍部顶部及侧壁表面形成栅氧化层。
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