[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置以及存储介质有效
| 申请号： | 201711230835.6 | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108122736B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 花岛建夫;佐佐木隆史;平松宏朗;镰仓司 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 金鲜英;李宏轩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置的制造方法、基板处理装置以及存储介质，能够控制在基板上形成的膜的面内膜厚分布。本发明的半导体装置的制造方法具有通过将不同时进行(a)工序和(b)工序的循环进行预定次数从而在基板上形成膜的工序，(a)工序为对于基板由第1喷嘴供应原料来形成第1层的工序，(b)工序为对于基板由与第1喷嘴不同的第2喷嘴供应反应体来形成第2层的工序，在(a)工序中，依次进行(a‑1)在由第1喷嘴供应原料的状态下由第2喷嘴以比原料的流量小的第1流量来供应非活性气体的工序和(a‑2)在由第1喷嘴供应原料的状态下由第2喷嘴以比原料的流量大的第2流量来供应非活性气体的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 处理 以及 存储 介质 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其具有通过将不同时进行(a)工序和(b)工序的循环进行预定次数从而在基板上形成膜的工序，(a)工序为对于基板由第1喷嘴供应原料来形成第1层的工序，(b)工序为对于所述基板由与所述第1喷嘴不同的第2喷嘴供应反应体从而对所述第1层进行改性来形成第2层的工序，其中，在所述(a)中，依次进行(a‑1)在由所述第1喷嘴供应所述原料的状态下由所述第2喷嘴以比所述原料的流量小的第1流量来供应非活性气体的工序，和(a‑2)在由所述第1喷嘴供应所述原料的状态下由所述第2喷嘴以比所述原料的流量大的第2流量供应非活性气体的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
