[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置以及存储介质有效

申请号：	201711230835.6	申请日：	2017-11-29
公开（公告）号：	CN108122736B	公开（公告）日：	2022-02-25
发明（设计）人：	花岛建夫;佐佐木隆史;平松宏朗;镰仓司	申请（专利权）人：	株式会社国际电气
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02;H01L21/67
代理公司：	北京银龙知识产权代理有限公司 11243	代理人：	金鲜英;李宏轩
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	半导体装置制造方法处理以及存储介质
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【说明书】：

本发明提供一种半导体装置的制造方法、基板处理装置以及存储介质，能够控制在基板上形成的膜的面内膜厚分布。本发明的半导体装置的制造方法具有通过将不同时进行(a)工序和(b)工序的循环进行预定次数从而在基板上形成膜的工序，(a)工序为对于基板由第1喷嘴供应原料来形成第1层的工序，(b)工序为对于基板由与第1喷嘴不同的第2喷嘴供应反应体来形成第2层的工序，在(a)工序中，依次进行(a‑1)在由第1喷嘴供应原料的状态下由第2喷嘴以比原料的流量小的第1流量来供应非活性气体的工序和(a‑2)在由第1喷嘴供应原料的状态下由第2喷嘴以比原料的流量大的第2流量来供应非活性气体的工序。

技术领域

本发明涉及半导体装置的制造方法、基板处理装置以及存储介质。

背景技术

作为半导体装置的制造工序中的一个工序，要进行在基板上形成膜的处理(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-118462号公报

发明内容

发明要解决的课题

本发明的目的在于，提供能够控制在基板上形成的膜的基板面内的膜厚分布的技术。

解决课题的方法

根据本发明的一个实施方式，提供一种半导体装置的制造方法的技术，其具有通过将不同时进行(a)工序与(b)工序的循环进行预定次数，从而在上述基板上形成膜的工序，所述(a)工序是对于基板由第1喷嘴供应原料来形成第1层的工序，所述(b)工序是对于上述基板由与上述第1喷嘴不同的第2喷嘴供应反应体来形成第2层的工序，其中，在上述(a)中，依次进行(a-1)在由上述第1喷嘴供应上述原料的状态下由上述第2喷嘴以比上述原料的流量小的第1流量来供应非活性气体的工序和(a-2)在由上述第1喷嘴供应上述原料的状态下由上述第2喷嘴以比上述原料的流量大的第2流量供应非活性气体的工序。

发明效果

根据本发明，能够控制在基板上形成的膜的基板面内的膜厚分布。

附图说明

图1是本发明的实施方式中合适地使用的基板处理装置的纵型处理炉的概略构成图，是由纵截面图来显示处理炉部分的图。

图2是本发明的实施方式中合适地使用的基板处理装置的纵型处理炉的一部分的概略构成图，是由图1的A-A线截面图来显示处理炉的一部分的图。

图3是本发明的实施方式中合适地使用的基板处理装置的控制器的概略构成图，是由框图来显示控制器的控制系统的图。

图4是显示本发明的一个实施方式的成膜次序的图。

图5是例示在基板上的含Si层的形成速率的变化的图。

图6中，(a)、(b)分别是显示纵型处理炉的变形例的横截面，是显示部分地抽出反应管、缓冲室和喷嘴等的图。

图7的(a)～(c)分别是显示在基板上形成的膜的基板面内膜厚分布的评价结果的图。

图8的(a)～(c)分别是显示在基板上形成的膜的基板面内膜厚分布的评价结果的图。

图9的(a)～(c)分别是显示在基板上形成的膜在基板面内膜厚分布的评价结果的图。