[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置以及存储介质

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其具有通过将不同时进行(a)工序和(b)工序的循环进行预定次数从而在基板上形成膜的工序，(a)工序为对于基板由第1喷嘴供应原料来形成第1层的工序，(b)工序为对于所述基板由与所述第1喷嘴不同的第2喷嘴供应反应体从而对所述第1层进行改性来形成第2层的工序，

其中，在所述(a)中，依次进行

(a-1)在由所述第1喷嘴供应所述原料的状态下由所述第2喷嘴以比所述原料的流量小的第1流量来供应非活性气体的工序，和

(a-2)在由所述第1喷嘴供应所述原料的状态下由所述第2喷嘴以比所述原料的流量大的第2流量供应非活性气体的工序，

在所述(a-1)中，所述第1层的形成速率从第1速率向比所述第1速率小的第2速率变化，在所述第1层的形成速率改变为所述第2速率时或改变之后，开始所述(a-2)。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，

在所述第1层的形成速率为所述第1速率时，不实施所述(a-2)。

3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，

在不实施所述(a-2)而持续所述(a-1)时，所述第1层的形成速率从第1速率向比所述第1速率小的第2速率变化，在所述第1层的形成速率改变为所述第2速率之前，开始所述(a-2)。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，

在所述(a-2)中，由所述第1喷嘴与所述原料一起供应非活性气体，使所述第2流量比由所述第1喷嘴供应的所述原料和非活性气体的合计流量大。

5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，

所述第2喷嘴具有多个喷嘴，这些多个喷嘴夹着所述第1喷嘴配置在所述第1喷嘴的两侧。

6.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，

在所述(a-1)中，使由所述第2喷嘴所具有的所述多个喷嘴分别供应的各自的非活性气体的流量比所述原料的流量小。

7.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，

在所述(a-2)中，使由所述第2喷嘴所具有的所述多个喷嘴分别供应的各自的非活性气体的流量比所述原料的流量大。

8.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，

在不实施所述(a-2)而持续所述(a-1)时，所述第1层的形成速率从第1速率向比所述第1速率小的第2速率变化，在所述第1层的形成速率向所述第2速率变化之前，开始所述(a-2)。

9.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，

所述(a-2)中，由所述第1喷嘴与述原料一起供应非活性气体，使由所述第2喷嘴所具有的所述多个喷嘴分别供应的各自的非活性气体的流量比由所述第1喷嘴供应的所述原料与非活性气体的合计流量大。

10.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，

所述原料包含卤代硅烷。