[发明专利]一种抗总剂量辐射的FinFET器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201711146246.X | 申请日： | 2017-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN107910362A | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 安霞;任哲玄;王家宁;黄如;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抗总剂量辐射的FinFET器件及其制备方法。所述器件在半导体衬底上通过刻蚀形成“哑铃”形Fin条结构，一方面，增强了栅对“哑铃”形Fin条较薄中部电势控制能力，能够有效减少辐照在STI区引起的陷阱电荷对Fin条电势的影响；另一方面，增大了Fin两侧STI区距离，降低辐照引起的器件关态泄漏电流退化。相比普通体硅FinFET，本发明的“哑铃”形Fin条结构还增强了器件常态栅控能力，具有更大的开态电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 剂量 辐射 finfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种抗总剂量辐射的FinFET器件，包括半导体衬底，在半导体衬底上具有与衬底相连的“哑铃”形Fin条结构，所述Fin条垂直于沟道方向的剖面为“哑铃”形，即Fin条中部较窄，向上和向下宽度增大；Fin条顶部至中部较窄区域侧壁表面具有横跨Fin条的栅极结构，与栅极结构接触的Fin条部分构成沟道区；Fin条下部被STI区包裹；源、漏位于沟道区两端。
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