[发明专利]一种三维存储器及其制作方法

摘要

本申请提供一种三维存储器及其制作方法，所述三维存储器制作方法包括：提供衬底，包括核心存储区域和围绕核心存储区域的外围电路区域；在核心存储区域形成层叠结构，层叠结构包括交替生长的氮化硅薄膜和氧化硅薄膜；其中，在制作每层氮化硅薄膜时，对氮化硅薄膜进行紫外处理，使氮化硅薄膜收缩，刻蚀核心存储区域的氮化硅薄膜和氧化硅薄膜形成台阶；制作沟道孔，沟道孔贯穿层叠结构。对每层氮化硅薄膜进行紫外线处理，在保持外围电路特性不变差情况下，使得氮化硅薄膜应力变化和薄膜收缩趋于饱和，从而在后续热处理过程中，减小了薄膜收缩程度或避免了薄膜继续收缩，进而避免了后续制作沟道孔和漏极接触孔的位置偏差，以及金属残留，提高了产品的良率。

主权项

一种三维存储器制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，包括核心存储区域和围绕所述核心存储区域的外围电路区域；在所述核心存储区域形成层叠结构，所述层叠结构包括交替生长的氮化硅薄膜和氧化硅薄膜；其中，在制作每层氮化硅薄膜时，对所述氮化硅薄膜进行紫外线处理，使所述氮化硅薄膜收缩；刻蚀所述核心存储区域的氮化硅薄膜和氧化硅薄膜形成台阶；制作沟道孔，所述沟道孔贯穿所述层叠结构。