[发明专利]半导体制造装置及半导体器件的制造方法有效

专利信息
申请号: 201711090697.6 申请日: 2017-11-08
公开(公告)号: CN108346585B 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: 横森刚;名久井勇辉 申请(专利权)人: 捷进科技有限公司
主分类号: H01L21/52 分类号: H01L21/52;H01L21/67
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 陈伟;闫剑平
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种能够减轻给裸芯片施加的应力的半导体制造装置。半导体制造装置具有上推单元、筒夹、以及控制所述上推单元及所述筒夹的动作的控制装置。所述上推单元具有上推所述裸芯片的块部、以及设于所述块部的外周并具有吸引孔的吸附部。所述块部具有在俯视时呈四方形状的第一块、在俯视时呈四方形状且平面面积比所述第一块大的第二块、以及设于所述第一块与所述第二块之间的细长的间隙,所述间隙的俯视时的长度方向沿第一方向延伸,其宽度方向沿第二方向延伸。所述控制装置具有在所述筒夹吸附所述裸芯片的期间,在将所述第一块上推得高于所述吸附部的上表面的状态下,使所述上推单元沿水平方向上的所述第二方向移动的机构。
搜索关键词: 半导体 制造 装置 半导体器件 方法
【主权项】:
1.一种半导体制造装置,其特征在于,具有:从切割带的下方上推裸芯片的上推单元;吸附所述裸芯片的筒夹;以及控制所述上推单元及所述筒夹的动作的控制装置,所述上推单元具有:经由所述切割带上推所述裸芯片的块部;以及设于所述块部的外周并具有吸引孔的吸附部,所述块部具有:在俯视时呈四方形状的第一块;在俯视时呈四方形状且平面面积比所述第一块大的第二块;以及设于所述第一块与所述第二块之间的细长的间隙,所述间隙的俯视时的长度方向沿第一方向延伸,宽度方向沿第二方向延伸,所述控制装置具有如下的机构:在所述筒夹吸附所述裸芯片的期间,在将所述第一块上推得高于所述吸附部的上表面的状态下,使所述上推单元沿水平方向上的所述第二方向移动。
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