[发明专利]半导体制造装置及半导体器件的制造方法有效
申请号: | 201711090697.6 | 申请日: | 2017-11-08 |
公开(公告)号: | CN108346585B | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 横森刚;名久井勇辉 | 申请(专利权)人: | 捷进科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/52 | 分类号: | H01L21/52;H01L21/67 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;闫剑平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 制造 装置 半导体器件 方法 | ||
1.一种半导体制造装置,其特征在于,具有:
从切割带的下方上推裸芯片的上推单元;
吸附所述裸芯片的筒夹;以及
控制所述上推单元及所述筒夹的动作的控制装置,
所述上推单元具有:
经由所述切割带上推所述裸芯片的块部;以及
设于所述块部的外周并具有吸引孔的吸附部,
所述块部具有:
在俯视时呈四方形状的第一块;
在俯视时呈四方形状且平面面积比所述第一块大的第二块;以及
设于所述第一块与所述第二块之间的细长的间隙,
所述间隙的俯视时的长度方向沿第一方向延伸,宽度方向沿第二方向延伸,
所述控制装置具有如下的机构:在所述筒夹吸附所述裸芯片的期间,在将所述第一块上推得高于所述吸附部的上表面的状态下,使所述上推单元沿水平方向上的所述第二方向移动,
当所述上推单元沿所述水平方向上的所述第二方向移动时的所述第二块的高度比所述第一块低。
2.如权利要求1所述的半导体制造装置,其特征在于,
所述控制装置具备:
在所述吸附部吸附所述切割带的状态下将所述第一块上推得高于所述吸附部的上表面的机构;以及
当所述上推单元沿水平方向移动时设为停止所述吸附部对所述切割带的吸附的状态的机构。
3.如权利要求1所述的半导体制造装置,其特征在于,
所述第一块的块高度、第二块的块高度及所述上推单元的在所述第二方向上的水平移动距离为能够设定的。
4.如权利要求1所述的半导体制造装置,其特征在于,
所述裸芯片在所述裸芯片与所述切割带之间还具有粘片膜。
5.如权利要求1所述的半导体制造装置,其特征在于,
还具有供所述筒夹安装的拾取头。
6.如权利要求5所述的半导体制造装置,其特征在于,还具有:
中间载台,其载置由所述拾取头拾取的裸芯片;以及
贴装头,其将载置于所述中间载台的裸芯片贴装于基板或者贴装于已经被贴装了的裸芯片的上方。
7.一种半导体制造装置,其特征在于,具有:
从切割带的下方上推裸芯片的上推单元;
吸附所述裸芯片的筒夹;以及
控制所述上推单元及所述筒夹的动作的控制装置,
所述上推单元具有:
经由所述切割带上推所述裸芯片的块部;以及
设于所述块部的外周并具有吸引孔的吸附部,
所述块部具有:
在俯视时呈四方形状的第一块;
在俯视时呈四方形状且平面面积比所述第一块大的第二块;以及
设于所述第一块与所述第二块之间的细长的间隙,
所述间隙的俯视时的长度方向沿第一方向延伸,宽度方向沿第二方向延伸,
所述控制装置具有如下的机构:在所述筒夹吸附所述裸芯片的期间,在将所述第一块上推得高于所述吸附部的上表面的状态下,使所述上推单元沿水平方向上的所述第二方向移动,
所述控制装置具有如下的机构:
在所述吸附部吸附住了所述切割带的状态下,使所述第一块上升到第一上推高度,使所述第二块上升到第二上推高度,然后,使所述第一块下降到比所述第一上推高度低的滑动高度,使所述第二块下降到比所述滑动高度低的高度的机构;
在停止了所述吸附部对所述切割带的吸附的状态下,使所述上推单元沿所述第二方向移动,然后,使所述吸附部吸附所述切割带的机构;以及
在停止了所述吸附部对所述切割带的吸附的状态下,使所述上推单元沿与所述第二方向相反的水平方向移动,然后,使所述吸附部吸附所述切割带的机构。
8.如权利要求7所述的半导体制造装置,其特征在于,
所述第二上推高度比所述第一上推高度高。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造