[发明专利]采用硅图形衬底生长氮化镓外延方法

摘要

本发明公开一种采用硅图形衬底生长氮化镓外延方法，按照如下步骤进行：采用掩膜或者蚀刻在硅衬底上表面的横向和竖向形成等距的多条线条，所述线条高1~10μm、宽100~500μm，各线条之间的间距为1~3cm；采用金属有机物化学气相沉积法在硅衬底的上表面由下至上依次生长氮化铝缓冲层、铝镓氮渐变缓冲层、氮化镓缓冲层、氮化铝隔离层及铝镓氮器件层，所述铝镓氮渐变缓冲层由四层AlxGa1‑xN构成，由下至上每层AlxGa1‑xN结构的X值分别为0.8、0.6、0.4、0.2，铝镓氮渐变缓冲层的厚度为3~4.5μm，氮化镓缓冲层的厚度为1~2μm，所述氮化铝隔离层的厚度为1~10nm，铝镓氮器件层的厚度为20~40nm。

主权项

一种采用硅图形衬底生长氮化镓外延方法，其特征在于按照如下步骤进行：a. 采用掩膜或者蚀刻在硅衬底（1）上表面的横向和竖向形成等距的多条线条（2），所述线条（2）高1~10μm、宽100~500μm，各线条（2）之间的间距为1~3cm；b. 采用金属有机物化学气相沉积法在硅衬底（1）的上表面由下至上依次生长氮化铝缓冲层（3）、铝镓氮渐变缓冲层（4）、氮化镓缓冲层（5）、氮化铝隔离层（6）及铝镓氮器件层（7），所述铝镓氮渐变缓冲层（4）由四层AlxGa1‑xN构成，由下至上每层AlxGa1‑xN结构的X值分别为0.8、0.6、0.4、0.2，所述铝镓氮渐变缓冲层的厚度为3μm~4.5μm，所述氮化镓缓冲层的厚度为1μm~2μm，所述氮化铝隔离层的厚度为1nm~10nm，所述铝镓氮器件层的厚度为20nm~40nm。