[发明专利]采用硅图形衬底生长氮化镓外延方法有效
| 申请号： | 201711058981.5 | 申请日： | 2017-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN107910244B | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 梁辉南 | 申请（专利权）人： | 大连芯冠科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 大连非凡专利事务所 21220 | 代理人： | 闪红霞 |
| 地址： | 116023 辽宁省大连市高新*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 采用 图形 衬底 生长 氮化 外延 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种采用硅图形衬底外延生长氮化镓功率器件的方法，其特征在于按照如下步骤进行：
a. 采用掩膜在硅衬底（1）上表面的横向和竖向形成等距的多条SiO2线条（2），所述SiO2线条（2）高1~10μm、宽100~500μm，各SiO2线条（2）之间的间距为1~3cm, 纵向外延生长被限制在由横向和竖向形成等距的多条SiO2线条(2)限定的单个区域内；
b. 采用金属有机物化学气相沉积法在硅衬底（1）的上表面由下至上依次生长氮化铝缓冲层（3）、铝镓氮渐变缓冲层（4）、氮化镓缓冲层（5）、氮化铝隔离层（6）及铝镓氮器件层（7），所述铝镓氮渐变缓冲层（4）由四层AlxGa1-xN构成，由下至上每层AlxGa1-xN结构的X值分别为0.8、0.6、0.4、0.2，所述铝镓氮渐变缓冲层(4)的厚度为3μm~4.5μm，所述氮化镓缓冲层(5)的厚度为1μm~2μm，所述氮化铝隔离层(6)的厚度为1nm~10nm，所述铝镓氮器件层(7)的厚度为20nm~40nm；
c. 按照图形化的所述SiO2线条（2）切割硅衬底（1），获得氮化镓功率器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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