[发明专利]半导体生产设备及半导体工艺方法

摘要

本发明提供一种半导体生产设备及半导体工艺方法。本发明的半导体生产设备包括反应腔室、气体供给系统、第一排气系统及第二排气系统。反应腔室包括进气口和排气口；气体供给系统包括第一气体源、第二气体源、第一供气管路及第二供气管路，用于向反应腔室内通入第一类反应气体和第二类反应气体；其中，第一类反应气体与第二类反应气体会发生反应；第一排气系统包括第一排气管路和第一泵，用于排放残留的第一类反应气体；第二排气系统包括第二排气管路和第二泵，用于排放残留的第二类反应气体。使用本发明的半导体生产设备能减少设备的保养周期、有效提高设备的使用寿命从而降低生产成本。使用本发明的半导体工艺方法能有效提高生产效率。

主权项

1.一种半导体生产设备(1)，其特征在于，包括：反应腔室(11)，所述反应腔室包括进气口(111)和排气口(112)；气体供给系统(21)，包括第一气体源(211)、第二气体源(221)、第一供气管路(212)及第二供气管路(222)；所述第一供气管路一端与所述第一气体源相连接，另一端与所述反应腔室的进气口相连接，用于向所述反应腔室内通入第一类反应气体；所述第二供气管路一端与所述第二气体源相连接，另一端与所述反应腔室的进气口相连接，用于向所述反应腔室内通入第二类反应气体；其中，所述第一类反应气体与所述第二类反应气体会发生反应；第一排气系统(31)，包括第一排气管路(311)和第一泵(312)，所述第一排气管路的一端与所述反应腔室的排气口相连接，另一端与所述第一泵相连接，所述第一排气系统用于在所述第一供气管路向所述反应腔室内通入所述第一类反应气体预设时间后排放所述反应腔室内残留的所述第一类反应气体；及，第二排气系统(41)，包括第二排气管路(411)和第二泵(412)，所述第二排气管路的一端与所述反应腔室的排气口相连接，另一端与所述第二泵相连接，所述第二排气系统用于在所述第二供气管路向所述反应腔室内通入所述第二类反应气体预设时间后排放所述反应腔室内残留的所述第二类反应气体；其中，所述第一排气系统和所述第二排气系统分别用于将所述第一类反应气体和所述第二类反应气体分离排放，以避免在排放过程中所述第一类反应气体和第二类反应气体直接相互接触而发生反应。