[发明专利]半导体生产设备及半导体工艺方法

权利要求书

1.一种半导体工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：

1）提供半导体生产设备，所述半导体生产设备包括反应腔室（11）及气体供给系统（21）；所述反应腔室包括进气口（111）和排气口（112）；气体供给系统（21）包括第一气体源（211）、第二气体源（221）、第一供气管路（212）、第二供气管路（222）、第一排气系统（31）及第二排气系统（41）；所述第一供气管路一端与所述第一气体源相连接，另一端与所述反应腔室的进气口相连接，用于向所述反应腔室内通入第一类反应气体；所述第二供气管路一端与所述第二气体源相连接，另一端与所述反应腔室的进气口相连接，用于向所述反应腔室内通入第二类反应气体；其中，所述第一类反应气体与所述第二类反应气体会发生反应；第一排气系统（31），包括第一排气管路（311）和第一泵（312），所述第一排气管路的一端与所述反应腔室的排气口相连接，另一端与所述第一泵相连接，所述第一排气系统用于在所述第一供气管路向所述反应腔室内通入所述第一类反应气体预设时间后排放所述反应腔室内残留的所述第一类反应气体；第二排气系统（41）包括第二排气管路（411）和第二泵（412），所述第二排气管路的一端与所述反应腔室的排气口相连接，另一端与所述第二泵相连接，所述第二排气系统用于在所述第二供气管路向所述反应腔室内通入所述第二类反应气体预设时间后排放所述反应腔室内残留的所述第二类反应气体；其中，所述第一排气系统和所述第二排气系统分别用于将所述第一类反应气体和所述第二类反应气体分离排放，以避免在排放过程中所述第一类反应气体和第二类反应气体直接相互接触而发生反应；所述气体供给系统还包括气压阀（213）及质量流量控制器（223），所述气压阀213分别位于所述第一供气管路（212）上及所述第二供气管路（222）上，所述质量流量控制器（223）分别位于所述第一供气管路及所述第二供气管路上，且所述质量流量控制器（223）的两侧均设置所述气压阀（213）；

2）提供一待处理基板，将所述待处理基板置于所述反应腔室内；

3）使用所述第一供气管路向所述反应腔室内通入第一类反应气体，经过预设时间后，使用所述第一排气系统将所述反应腔室内残留的所述第一类反应气体排出，所述第一类反应气体包括WF₆及B₂H₆；

4）使用所述第二供气管路向所述反应腔室内通入第二类反应气体，经过预设时间后，使用所述第二排气系统将所述反应腔室内残留的所述第二类反应气体排出，所述第二类反应气体包括SiH₄；

初始阶段周期式供给B₂H₆气体以在基板表面沉积一层薄硼；之后交替重复供给WF₆和SiH₄，其中，在每次气体供给后将残余的气体进行排放。

2.根据权利要求1所述的半导体工艺方法，其特征在于：步骤3）与步骤4）之间还包括重复步骤3）至少一次的步骤；步骤4）之后还包括重复步骤4）至少一次的步骤。

3.根据权利要求1所述的半导体工艺方法，其特征在于：步骤4）之后还包括重复步骤3）至步骤4）至少一次的步骤。

4.根据权利要求1所述的半导体工艺方法，其特征在于：所述第一排气系统还包括第三排气管路（313），所述第三排气管路一端与所述第一供气管路(212)相连接，另一端与所述第一排气管路相连接；所述第二排气系统还包括第四排气管路（413），所述第四排气管路一端与所述第二供气管路(222)相连接，另一端与所述第二排气管路相连接；其中，所述第三排气管路用于在所述反应腔室不需要所述第一类反应气体时排放所述第一类反应气体；所述第四排气管路用于在所述反应腔室不需要所述第二类反应气体时排放所述第二类反应气体。

5.根据权利要求4所述的半导体工艺方法，其特征在于：所述第一排气系统及所述第二排气系统均包括控制阀（314），所述控制阀分别位于所述第一排气管路、所述第二排气管路、所述第三排气管路及所述第四排气管路上。