[发明专利]半导体结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201710971308.4 | 申请日： | 2017-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN109686753B | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 林进富;邱崇益 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构及其制作方法。该半导体结构包含有一基底，该基底上定义有一存储器区以及一晶体管区，一绝缘层位于该基底上，一2D材料层，位于该绝缘层上，且同时位于该存储器区以及该晶体管区内，其中该晶体管区内的部分该2D材料层为一晶体管结构的一通道区，其中该晶体管结构位于该晶体管区内的该通道区上，以及一电阻式随机存取存储器(RRAM)位于该存储器区内，该RRAM包含一下电极层、一电阻转换层与一上电极层依序位于该2D材料层上并电连接于该通道区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包含有:基底，该基底上定义有存储器区以及晶体管区；绝缘层，位于该基底上；2D材料层，位于该绝缘层上，且同时位于该存储器区以及该晶体管区内，其中该晶体管区内的部分该2D材料层为一晶体管结构的一通道区，其中该晶体管结构位于该晶体管区内的该通道区上；以及电阻式随机存取存储器(RRAM)，位于该存储器区内，该RRAM包含下电极层、电阻转换层与上电极层依序位于该存储器区内的部分该2D材料层上并电连接于该通道区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
