[发明专利]半导体散热板用Mo烧结部件以及使用该Mo烧结部件的半导体装置在审
| 申请号： | 201710886458.5 | 申请日： | 2012-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN107658280A | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 森冈勉;青山齐 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝高新材料公司 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L23/488;C22C1/04;C22C27/04;C22C30/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 刘凤岭,陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体散热板用Mo烧结部件，其由含有10～50质量％铜的钼合金材料构成，其特征在于所述钼合金材料的钼晶体的平均粒径为10～100μm，每500μm×500μm单位面积的Mo晶体的面积比的偏差在平均值的±10％以内。由于Mo和Cu的存在比例的偏差较小，因而可以得到热膨胀率等特性优良、且热膨胀率、强度等优良的半导体散热板用Mo烧结部件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 散热 mo 烧结 部件 以及 使用 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体散热板用Mo烧结部件的制造方法，其特征在于，所述制造方法具有如下的工序：将铜粉末和钼粉末进行混合的工序；以及对得到的混合粉末进行烧结，从而得到钼合金材料的工序；所述钼合金材料的钼晶体的平均粒径为10～100μm，所述钼晶体的最大晶体粒径在平均粒径的2倍以下。
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