[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本公开涉及一种半导体装置及其制造方法。本发明的实施方式提供一种能得到选择晶体管的稳定的特性的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备基底层、层叠体、半导体主体以及电荷蓄积部。所述层叠体设置于所述基底层上。所述层叠体具有：隔着空隙而层叠的多个电极层、在所述多个电极层的层叠方向上层叠的多个选择栅层以及设置于在所述层叠方向上相邻的选择栅层之间的绝缘层。所述半导体主体在所述层叠体内在所述层叠方向上延伸。所述电荷蓄积部设置于所述半导体主体与所述电极层之间。

主权项

1.一种半导体装置，具备：基底层；层叠体，其设置于所述基底层上，并且具有隔着空隙层叠的多个电极层、在所述多个电极层的层叠方向上层叠的多个选择栅层以及设置于在所述层叠方向上相邻的选择栅层之间的绝缘层；半导体主体，其在所述层叠体内在所述层叠方向上延伸；以及电荷蓄积部，其设置在所述半导体主体与所述电极层之间。