[发明专利]NAND存储器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种NAND存储器及其制备方法，包括：多个NAND串和形成在上述多个NAND串上的一个单晶硅层，所述单晶硅层与所述多个NAND串接触连接；其中，每个所述NAND串包括：多个导体/绝缘体叠层；一个在竖直方向延伸并穿过所述多个导体/绝缘体叠层的半导体通道；一个形成在所述多个导体/绝缘体叠层和所述半导体通道之间的隧道层；和一个形成在所述隧道层和多个导体/绝缘体叠层之间的存储单元层。本发明通过将阵列器件和外围器件的制作分开，能够避免两个器件制造时互相影响对方的制作过程，因此解决了现有技术中后面的层的制作受前面的层制作后温度限制的问题，从而获得了良好的外围器件性能。另外由于阵列器件叠加在外围器件之上，实现了高器件密度。

主权项

1.一种NAND存储器，包括：多个NAND串，每个所述NAND串包括：多个导体/绝缘体叠层；一个在竖直方向延伸并穿过所述多个导体/绝缘体叠层的半导体通道；一个形成在所述多个导体/绝缘体叠层和所述半导体通道之间的隧道层；以及一个形成在所述隧道层和多个导体/绝缘体叠层之间的存储单元层；形成在上述多个NAND串上方的一个单晶硅层，所述单晶硅层与所述多个NAND串接触连接；一个外围器件，形成在所述多个NAND串下；形成在所述多个NAND串下方的一个第一互联层，形成在所述单晶硅层上方的一个第二互联层，以及形成在所述外围器件上方的第三互联层，所述多个NAND串和所述外围器件通过所述第一互联层和所述第三互联层结合；贯穿阵列触点，竖直穿过所述多个导体/绝缘体叠层和所述单晶硅层，连接所述第一互联层和所述第二互联层。