[发明专利]半导体封装件及其形成方法有效
| 申请号： | 201710708941.4 | 申请日： | 2017-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN107768258B | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 邵栋梁;董志航;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例公开了半导体封装件及其形成方法。实施例包括在第一衬底中形成第一凹槽，其中第一凹槽的开口的第一面积大于第一凹槽的底部的第二面积。实施例还包括形成第一器件，其中第一器件的顶端的第三面积大于第一器件的底端的第四面积。实施例还包括将第一器件放置在第一凹槽中，其中第一器件的底端面向第一凹槽的底部，以及将第一器件的侧壁接合到第一凹槽的侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体器件的方法，包括：在第一衬底中形成第一凹槽，其中，所述第一凹槽的开口的第一面积大于所述第一凹槽的底部的第二面积；形成第一器件，其中，所述第一器件的顶端的第三面积大于所述第一器件的底端的第四面积；将所述第一器件放置在所述第一凹槽中，其中，所述第一器件的所述底端面向所述第一凹槽的所述底部；以及将所述第一器件的侧壁接合到所述第一凹槽的侧壁。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
