[发明专利]功率半导体装置和用于制造这种功率半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201710696672.4 | 申请日： | 2017-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN107768316B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | C.帕帕多波洛斯;M.拉希莫 | 申请（专利权）人： | 日立能源瑞士股份公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京市汉坤律师事务所 11602 | 代理人： | 王其文;张涛 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种包括晶元的功率半导体装置，其中在所述装置的终端区域中，在所述晶元的表面的至少一部分上形成钝化层结构，且所述钝化层结构从所述晶元的所述表面沿远离所述晶元的方向依次包括半绝缘层(13)、氮化硅层、未掺杂硅酸盐玻璃层(16)和有机介电层(17)。所述氮化硅层具有至少0.5µm的层厚度。所述有机介电层(17)附着到所述未掺杂硅酸盐玻璃层(16)且所述未掺杂硅酸盐玻璃层(16)附着到所述氮化硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 装置 用于 制造 这种 方法 | ||
【主权项】：
一种功率半导体装置，包括晶元，其中：在所述装置的终端区域中，至少在所述晶元的表面的一部分上形成钝化层结构；所述钝化层结构从所述晶元的所述表面沿远离所述晶元的方向依次包括半绝缘层(13)、氮化硅层、未掺杂硅酸盐玻璃层(16)和有机介电层(17)；其特征在于，所述氮化硅层具有至少0.5µm的层厚度，所述有机介电层(17)附着于所述未掺杂硅酸盐玻璃层(16)，以及，所述未掺杂硅酸盐玻璃层(16)附着于所述氮化硅层。
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