[发明专利]环栅场效应晶体管及其形成方法在审
| 申请号： | 201710671276.6 | 申请日： | 2017-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN109390400A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种环栅场效应晶体管及其形成方法，其中，形成方法包括：去除所述第一伪栅结构，在介质结构内形成第一凹槽；去除所述第一凹槽所暴露出的第一牺牲层，形成位于第一半导体层底部的第一通孔，且所述第一通孔的侧壁暴露出部分第一源漏掺杂层；在所述第一通孔所暴露出的第一源漏掺杂层上形成第一阻挡层；在所述第一凹槽和第一通孔内分别填充第一栅极结构。所述形成方法在第一源漏掺杂层与第一栅极结构之间形成第一阻挡层，所述第一阻挡层改善接面漏电流，由此提高了环栅场效应晶体管的电学稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 通孔 场效应晶体管 掺杂层 阻挡层 环栅 源漏 栅极结构 去除 暴露 电学稳定性 半导体层 介质结构 伪栅结构 漏电流 牺牲层 侧壁 接面 填充 | ||
【主权项】：
1.一种环栅场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上具有若干重叠的第一叠层结构，且所述第一叠层结构包括第一牺牲层和位于所述第一牺牲层上的第一半导体层；形成横跨所述第一叠层结构的第一伪栅结构和位于所述第一伪栅结构侧壁的第一侧墙，所述第一伪栅结构位于部分基底上，且覆盖所述第一叠层结构的部分侧壁和顶部表面；在所述第一伪栅结构和第一侧墙两侧的第一叠层结构内形成第一源漏掺杂层；在所述基底上形成覆盖所述第一叠层结构和第一源漏掺杂层的介质结构，且所述介质结构暴露出所述第一伪栅结构和所述第一侧墙的顶部表面；去除所述第一伪栅结构，在所述介质结构内形成第一凹槽；去除所述第一凹槽所暴露出的第一牺牲层，形成位于所述第一半导体层底部的第一通孔，且所述第一通孔的侧壁暴露出部分第一源漏掺杂层；在所述第一通孔所暴露出的第一源漏掺杂层上形成第一阻挡层；在所述第一凹槽和第一通孔内分别填充第一栅极结构。
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