[发明专利]一种LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201710565517.9 | 申请日： | 2017-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN107293623A | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 邬新根;刘英策;李俊贤;吴奇隆;魏振东;周弘毅;蔡丽鹤;黄兴茂 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/60;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种LED芯片及其制备方法，其中，所述LED芯片的制备方法在制备反射层之前，在所述外延结构表面形成了一层包括多个绝缘单元的绝缘层，每个所述绝缘单元覆盖一个所述外延结构的多量子阱的侧壁，避免了在制备反射层的过程中，反射层材料污染或渗透到多量子阱层中的情况出现，避免了多量子阱层因此而失效的情况出现，提升了倒装LED芯片的制备良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有外延结构，至少具有N型氮化镓层、多量子阱层、P型氮化镓层；在所述的外延结构上蚀刻形成至少一个凹槽，露出N型氮化镓层；在所述外延结构表面依次形成绝缘层和反射层；所述绝缘层包括多个绝缘单元，每个所述绝缘单元覆盖一个所述外延结构的多量子阱的侧壁，所述反射层位于所述绝缘单元之间。
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