[发明专利]一种LED芯片及其制备方法

说明书

技术领域

本申请涉及发光器件技术领域，更具体地说，涉及一种LED芯片及其制备方法。

背景技术

LED(发光二极管，Light Emitting Diode)芯片，也称为LED发光芯片，是LED灯的核心组件。倒装LED芯片是指出光面位于芯片背面的LED芯片，倒装LED芯片的出现解决了传统正装LED芯片的电极遮光导致的发光效率低的问题，以及无法适用于大电流驱动和金线断裂的可靠性问题。

但是在现有的倒装LED芯片的制备过程中，反射层的制备成为制约倒装LED芯片质量的关键步骤，在制备反射层时，通常通过在多量子阱层表面形成银金属层，然后通过刻蚀银金属层的方式形成位于P型氮化镓层表面的反射层。这种制备反射层的方式可能会导致银金属层污染多量子阱层的情况出现，这是由于银金属具有良好的扩散特性，极易在制备过程中渗透到多量子阱层中，从而出现多量子阱层失效的情况出现。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，以实现避免反射层在制备过程中污染或渗透到多量子阱层中，而导致多量子阱层失效的情况出现的目的。

为实现上述技术目的，本发明实施例提供了如下技术方案：

一种LED芯片的制备方法，包括：

提供衬底，所述衬底表面具有外延结构，至少具有N型氮化镓层、多量子阱层、P型氮化镓层；

在所述的外延结构上蚀刻形成至少一个凹槽，露出N型氮化镓层；

在所述外延结构表面依次形成绝缘层和反射层；

所述绝缘层包括多个绝缘单元，每个所述绝缘单元覆盖一个所述外延结构的多量子阱的侧壁，所述反射层位于所述绝缘单元之间。

可选的，在所述外延结构表面依次形成绝缘层和反射层包括：

在所述外延结构表面沉积一层绝缘材料层；

在所述绝缘材料层表面涂覆光刻胶，并对所述光刻胶进行曝光、显影，形成第一掩膜；

以所述第一掩膜为掩膜，对所述绝缘材料层进行刻蚀，形成覆盖所述多量子阱侧壁的多个绝缘单元，所述多个绝缘单元构成所述绝缘层；

在裸露的外延结构及所述第一掩膜表面制备金属层；

剥离位于所述第一掩膜表面的金属层，并去除所述第一掩膜，形成位于所述绝缘单元之间的金属层。

可选的，在所述外延结构表面依次形成绝缘层和反射层包括：

在所述外延结构表面沉积一层绝缘材料层；

在所述绝缘材料层表面涂覆光刻胶，并对所述光刻胶进行曝光、显影，形成第一掩膜；

以所述第一掩膜为掩膜，对所述绝缘材料层进行刻蚀，形成覆盖所述多量子阱侧壁的多个绝缘单元，所述多个绝缘单元构成所述绝缘层；

去除所述第一掩膜；

在裸露的外延结构及所述绝缘层表面制备金属层；

在所述金属层表面涂覆光刻胶，并对涂覆的光刻胶进行曝光、显影，形成第二掩膜；

以所述第二掩膜为掩膜，对所述金属层进行刻蚀，形成位于所述绝缘单元之间的反射层。

可选的，所述金属层为银金属层。

可选的，所述绝缘材料层为二氧化硅层或氮化硅层。

一种LED芯片，包括：

衬底，所述衬底表面具有外延结构，所述外延结构至少具有N型氮化镓层、多量子阱层、P型氮化镓层和至少一个凹槽，所述凹槽贯穿所述多量子阱层和P型氮化镓层，并部分贯穿所述N型氮化镓层；

覆盖所述外延结构的多量子阱侧壁的多个绝缘单元，所述多个绝缘单元构成绝缘层；

位于所述绝缘单元之间的反射层。

可选的，所述绝缘层为氮化硅层或二氧化硅层。

可选的，所述反射层为银反射层。

从上述技术方案可以看出，本发明实施例提供了一种LED芯片及其制备方法，其中，所述LED芯片的制备方法在制备反射层之前，在所述外延结构表面形成了一层包括多个绝缘单元的绝缘层，每个所述绝缘单元覆盖一个所述外延结构的多量子阱的侧壁，避免了在制备反射层的过程中，反射层材料污染或渗透到多量子阱层中的情况出现，避免了多量子阱层因此而失效的情况出现，提升了倒装LED芯片的制备良率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。