[发明专利]一种LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底表面具有外延结构，至少具有N型氮化镓层、多量子阱层、P型氮化镓层；

在所述的外延结构上蚀刻形成至少一个凹槽，露出N型氮化镓层；

在所述外延结构表面依次形成绝缘层和反射层；

所述绝缘层包括多个绝缘单元，每个所述绝缘单元覆盖一个所述外延结构的多量子阱的侧壁，所述反射层位于所述绝缘单元之间。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述外延结构表面依次形成绝缘层和反射层包括：

在所述外延结构表面沉积一层绝缘材料层；

在所述绝缘材料层表面涂覆光刻胶，并对所述光刻胶进行曝光、显影，形成第一掩膜；

以所述第一掩膜为掩膜，对所述绝缘材料层进行刻蚀，形成覆盖所述多量子阱侧壁的多个绝缘单元，所述多个绝缘单元构成所述绝缘层；

在裸露的外延结构及所述第一掩膜表面制备金属层；

剥离位于所述第一掩膜表面的金属层，并去除所述第一掩膜，形成位于所述绝缘单元之间的金属层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述外延结构表面依次形成绝缘层和反射层包括：

在所述外延结构表面沉积一层绝缘材料层；

在所述绝缘材料层表面涂覆光刻胶，并对所述光刻胶进行曝光、显影，形成第一掩膜；

以所述第一掩膜为掩膜，对所述绝缘材料层进行刻蚀，形成覆盖所述多量子阱侧壁的多个绝缘单元，所述多个绝缘单元构成所述绝缘层；

去除所述第一掩膜；

在裸露的外延结构及所述绝缘层表面制备金属层；

在所述金属层表面涂覆光刻胶，并对涂覆的光刻胶进行曝光、显影，形成第二掩膜；

以所述第二掩膜为掩膜，对所述金属层进行刻蚀，形成位于所述绝缘单元之间的反射层。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述金属层为银金属层。

5.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述绝缘材料层为二氧化硅层或氮化硅层。

6.一种LED芯片，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底表面具有外延结构，所述外延结构至少具有N型氮化镓层、多量子阱层、P型氮化镓层和至少一个凹槽，所述凹槽贯穿所述多量子阱层和P型氮化镓层，并部分贯穿所述N型氮化镓层；

覆盖所述外延结构的多量子阱侧壁的多个绝缘单元，所述多个绝缘单元构成绝缘层；

位于所述绝缘单元之间的反射层。

7.根据权利要求6所述的LED芯片，其特征在于，所述绝缘层为氮化硅层或二氧化硅层。

8.根据权利要求6所述的LED芯片，其特征在于，所述反射层为银反射层。