[发明专利]内牺牲间隔件的互连在审
申请号: | 201710545429.2 | 申请日: | 2017-07-06 |
公开(公告)号: | CN107591389A | 公开(公告)日: | 2018-01-16 |
发明(设计)人: | 孙志国;方强;苏拉·K·帕特尔;舒杰辉 | 申请(专利权)人: | 格罗方德半导体公司 |
主分类号: | H01L23/538 | 分类号: | H01L23/538;H01L21/768 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人: | 程伟,王锦阳 |
地址: | 英属开曼群*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及内牺牲间隔件的互连,其揭示互连结构以及形成该互连结构的方法。一间隔件形成于一介电层中的一开口内。于形成该间隔件之后,一导电柱塞形成于该介电层中的该开口内。于形成该导电柱塞后,移除该间隔件以定义位于该介电层中的该开口内的一空气间隙。该空气间隙位于该导电柱塞与该介电层中的该开口之间。 | ||
搜索关键词: | 牺牲 间隔 互连 | ||
【主权项】:
一种互连结构,其特征在于,该互连结构包括:一第一介电层,其包括一开口;一导电柱塞,位于该第一介电层的该开口内;以及一空气间隙,其位于该第一介电层中的该开口内在该导电柱塞与该第一介电层中的该开口之间的一位置处。
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