[发明专利]内牺牲间隔件的互连

权利要求书

1.一种互连结构，其特征在于，该互连结构包括：

一第一介电层，其包括一开口；

一导电柱塞，位于该第一介电层的该开口内；以及

一空气间隙，其位于该第一介电层中的该开口内在该导电柱塞与该第一介电层中的该开口之间的一位置处。

2.根据权利要求1所述的互连结构，其特征在于，该互连结构还包括：

一第二介电层，其位于该第一介电层上，该第二介电层覆盖该开口以封闭该空气间隙。

3.根据权利要求1所述的互连结构，其特征在于，该空气间隙具有与从该开口的一部分移除的一牺牲间隔件的一尺寸相等的至少一尺寸。

4.根据权利要求1所述的互连结构，其特征在于，该空气间隙具有与从该开口的一部分移除的一牺牲间隔件的一厚度相等的一厚度。

5.根据权利要求1所述的互连结构，其特征在于，该空隙间隙的该位置在该导电柱塞的一侧壁以及与该第一介电层中的该开口接壤的该第一介电层的一侧壁之间，且该第一介电层的该侧壁通过该空气间隙与该导电柱塞的该侧壁分开。

6.根据权利要求5所述的互连结构，其特征在于，该导电柱塞的该侧壁为与该第一介电层的该侧壁的距离最近的一外部侧壁。

7.根据权利要求5所述的互连结构，其特征在于，该开口于该第一介电层中延伸至一底面，该第一介电层的该侧壁与该底面相交，且该导电柱塞以及该空气间隙与该底面同延。

8.一种方法，其特征在于，该方法包括：

形成一第一介电层；

形成一开口于该第一介电层中；

形成一间隔件于该第一介电层的该开口内；

形成一导电柱塞于该第一介电层的该开口内；以及

于形成该导电柱塞后，移除该间隔件以形成一空气间隙于该第一介电层中的该开口内在该导电柱塞与该第一介电层中的该开口之间的一位置处。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，移除该间隔件以形成于该第一介电层中的该开口内在该导电柱塞与该第一介电层中的该开口之间的该位置处的该空气间隙包括：

选择性蚀刻与该第一介电层相对的该间隔件以移除该间隔件并形成该空气间隙。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，该第一介电层包括一低K介电材料，该间隔件包括一介电材料，以及该间隔件的该介电材料选择性蚀刻该低K介电材料。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，该第一介电层包括一低K介电材料，该间隔件包括氮化硅，以及该间隔件采用由磷酸组成的一溶液进行选择性蚀刻。

12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，该第一介电层包括一低K介电材料，该间隔件包括二氧化硅，以及该间隔件采用由磷酸组成的一溶液进行蚀刻。

13.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，该第一介电层包括一低K介电材料，该间隔件包括磷硅玻璃，以及该间隔件采用由磷酸组成的一溶液进行蚀刻。

14.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，该第一介电层包括一低K介电材料，该间隔件包括氮化钛，以及该间隔件采用由后蚀刻残液移除剂组成的一溶液进行蚀刻。

15.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，该第一介电层包括一低K介电材料，该间隔件包括非晶硅，以及该间隔件采用由四甲基氢氧化铵组成的一溶液进行蚀刻。

16.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，该开口包括一底面以及与该底面连接的侧壁，且形成该间隔件于该第一介电层中的该开口内包括：

沉积一共形层以覆盖该侧壁与该开口的该底面；以及

蚀刻该共形层以从该开口的该底面移除该共形层。

17.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，该方法还包括：

形成一第二介电层于该第一介电层上，

其中，该第二介电层覆盖该开口以封闭该空气间隙。

18.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，该第一介电层包括一第一介电材料，该间隔件包括一第二介电材料，以及形成该间隔件于该第一介电层中的该开口内包括：

通过选择性地蚀刻该第一介电材料来选择要移除的该第二介电材料。