[发明专利]一种石墨烯FinFET晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201710487149.0 | 申请日： | 2017-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN107256887B | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | 康晓旭 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/16;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种石墨烯FinFET晶体管及其制造方法，通过利用金属衬底形成石墨烯Fin薄膜，并通过离子注入工艺对石墨烯Fin薄膜的能带进行调整，形成沟道和源极、漏极，然后分别沉积栅介质、栅电极等层次，再通过沉积和平坦化键合介质(第一介质)来键合另外一衬底，接着去除金属衬底，实现将石墨烯Fin薄膜转移到带有图形的衬底上面应用于鳍式场效应晶体管中作为沟道材料，从而提高了晶体管的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 finfet 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯FinFET晶体管，其特征在于，包括：石墨烯Fin薄膜，其形成条状的沟槽形沟道，其两端用于形成源极、漏极；在石墨烯Fin薄膜外侧、沿其沟槽侧壁及底部形成的栅介质层；在栅介质层外侧、沿其侧壁及底部形成的横跨石墨烯Fin薄膜沟道的栅电极。
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