[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：提供衬底，所述衬底上具有第一鳍部；在隔离层上形成横跨所述第一鳍部的伪栅结构；在所述伪栅结构侧壁形成第一掩膜侧墙；在所述第一鳍部内形成第一源区和第一漏区；形成暴露出所述伪栅结构的顶部表面的介质结构；在所述介质结构内形成第一开口；去除所述第一开口底部的伪栅极氧化层，在所述隔离层和第一掩膜侧墙之间形成间隙；在所述间隙内填充保护层；所述保护层能有效隔离后续形成的栅极结构，从而提高半导体结构的生产良率和器件可靠性。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上具有第一鳍部、以及覆盖所述第一鳍部的部分侧壁的隔离层；形成横跨所述第一鳍部的伪栅结构，所述伪栅结构覆盖所述第一鳍部的部分侧壁和顶部表面，且所述伪栅结构位于部分隔离层上，所述伪栅结构包括伪栅氧化层以及位于伪栅氧化层上的伪栅极层；在所述伪栅极层和所述伪栅极氧化层的侧壁形成第一掩膜侧墙；分别在所述伪栅结构和所述第一掩膜侧墙两侧的第一鳍部内形成第一源区和第一漏区；在所述隔离层、第一源区和第一漏区上形成介质结构，所述介质结构暴露出所述伪栅结构的顶部表面；去除所述伪栅极层，在所述介质结构内形成暴露出所述伪栅极氧化层的第一开口；去除所述第一开口底部的伪栅极氧化层，并在所述隔离层和第一掩膜侧墙之间形成间隙；在所述间隙内填充保护层；在填充所述保护层之后，在所述第一开口内填充栅极结构。