[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上具有第一鳍部、以及覆盖所述第一鳍部的部分侧壁的隔离层；

形成横跨所述第一鳍部的伪栅结构，所述伪栅结构覆盖所述第一鳍部的部分侧壁和顶部表面，且所述伪栅结构位于部分隔离层上，所述伪栅结构包括伪栅氧化层以及位于伪栅氧化层上的伪栅极层；

在所述伪栅极层和所述伪栅极氧化层的侧壁形成第一掩膜侧墙；

分别在所述伪栅结构和所述第一掩膜侧墙两侧的第一鳍部内形成第一源区和第一漏区；

在所述隔离层、第一源区和第一漏区上形成介质结构，所述介质结构暴露出所述伪栅结构的顶部表面；

去除所述伪栅极层，在所述介质结构内形成暴露出所述伪栅极氧化层的第一开口；

去除所述第一开口底部的伪栅极氧化层，并在所述隔离层和第一掩膜侧墙之间形成间隙；

在所述间隙内填充保护层；

在填充所述保护层之后，在所述第一开口内填充栅极结构。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的形成步骤包括：在所述介质结构上、所述第一开口的侧壁和底部形成保护膜，且所述保护膜填充所述间隙；去除所述第一开口底部的保护膜。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述第一开口侧壁的保护膜。

4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护膜的形成工艺包括化学气相沉积工艺和原子层沉积工艺的一种或两种组合。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅或碳氮氧化硅。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述间隙的形成工艺为湿法刻蚀工艺和干法刻蚀工艺中的一种或两种组合。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底上还具有与第一鳍部相邻的第二鳍部，所述隔离层还覆盖所述第二鳍部的部分侧壁，所述伪栅结构还横跨所述第二鳍部，且覆盖所述第二鳍部的部分侧壁和顶部表面；在形成第一源区和第一漏区之后，在所述第一掩膜侧墙的侧壁形成第二掩膜侧墙；在形成第二掩膜侧墙之后，分别在所述第二鳍部内还形成第二源区和第二漏区，所述第二源区和第二漏区位于所述伪栅结构、第一掩膜侧墙和第二掩膜侧墙的两侧。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一鳍部用于形成PMOS或者NMOS，所述第二鳍部用于形成PMOS或者NMOS。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一鳍部用于形成PMOS，所述第二鳍部用于形成NMOS。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一开口的形成工艺为湿法刻蚀工艺和干法刻蚀工艺中的一种或两种组合。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜侧墙的形成步骤包括：在所述隔离层上形成第一掩膜材料膜，所述第一掩膜材料膜覆盖所述第一鳍部的侧壁和顶部表面、所述伪栅结构的侧壁和顶部表面；在所述第一掩膜材料膜上形成图形化的光刻胶层，所述光刻胶层暴露出所述伪栅结构和所述第一掩膜侧墙的两侧，以所述光刻胶层为掩膜，采用第一刻蚀工艺刻蚀所述第一掩膜材料膜，在所述伪栅结构的侧壁形成第一掩膜侧墙；去除所述光刻胶层。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀工艺还刻蚀所述第一鳍部，在所述第一鳍部内形成第一凹槽，所述第一凹槽位于所述伪栅结构和所述第一掩膜侧墙的两侧。