[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710355763.1 | 申请日： | 2017-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN108962889B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 曲瑞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中，所述装置包括：衬底；在所述衬底上的半导体鳍片；在所述半导体鳍片侧面的隔离区，所述隔离区的上表面低于所述半导体鳍片的上表面；栅极结构，覆盖所述半导体鳍片的一部分和所述隔离区的一部分，其中，所述隔离区被所述栅极结构覆盖的部分为第一区域，所述隔离区位于所述栅极结构两侧中的至少一侧的部分为第二区域，所述第一区域的上表面高于所述第二区域的上表面；以及第一间隔物层，位于所述栅极结构的侧壁和所述第一区域位于所述第二区域以上的部分的侧壁上。本申请可以改善器件的漏电问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：衬底；在所述衬底上的半导体鳍片；在所述半导体鳍片侧面的隔离区，所述隔离区的上表面低于所述半导体鳍片的上表面；栅极结构，覆盖所述半导体鳍片的一部分和所述隔离区的一部分，其中，所述隔离区被所述栅极结构覆盖的部分为第一区域，所述隔离区位于所述栅极结构两侧中的至少一侧的部分为第二区域，所述第一区域的上表面高于所述第二区域的上表面；以及第一间隔物层，位于所述栅极结构的侧壁和所述第一区域位于所述第二区域以上的部分的侧壁上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
