[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。该方法包括：提供半导体结构，该半导体结构包括：层间电介质层，被该层间电介质层包围的第一金属层，以及在该层间电介质层上的半导体层；刻蚀半导体层以形成露出层间电介质层的开口，该开口包括露出层间电介质层的一部分的第一开口和在第一开口之上的第二开口，第二开口与第一开口形成台阶；在形成开口后的半导体结构上形成绝缘物层；刻蚀处在第一开口的底部的绝缘物层的部分和层间电介质层的部分以形成露出第一金属层的一部分的凹槽；在绝缘物层上和在凹槽的底部和侧壁上形成第二金属层；以及对第二金属层进行图案化。本发明比较容易去除第二金属层的残留。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括：层间电介质层，被所述层间电介质层包围的第一金属层，以及在所述层间电介质层上的半导体层；刻蚀所述半导体层以形成露出所述层间电介质层的开口，所述开口包括露出所述层间电介质层的一部分的第一开口和在所述第一开口之上的第二开口，所述第二开口与所述第一开口形成台阶；在形成所述开口后的半导体结构上形成绝缘物层；刻蚀处在所述第一开口的底部的所述绝缘物层的部分和所述层间电介质层的部分以形成露出所述第一金属层的一部分的凹槽；在所述绝缘物层上和在所述凹槽的底部和侧壁上形成第二金属层，其中所述第二金属层与所述第一金属层连接；以及对所述第二金属层进行图案化，以去除所述第二金属层的在所述开口的侧壁之上和在所述台阶之上的一部分。