[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体结构，所述半导体结构包括：层间电介质层，被所述层间电介质层包围的第一金属层，以及在所述层间电介质层上的半导体层；

刻蚀所述半导体层以形成露出所述层间电介质层的开口，所述开口包括露出所述层间电介质层的一部分的第一开口和在所述第一开口之上的第二开口，所述第二开口与所述第一开口形成台阶；

在形成所述开口后的半导体结构上形成绝缘物层；

刻蚀处在所述第一开口的底部的所述绝缘物层的部分和所述层间电介质层的部分以形成露出所述第一金属层的一部分的凹槽；

在所述绝缘物层上和在所述凹槽的底部和侧壁上形成第二金属层，其中所述第二金属层与所述第一金属层连接；以及

对所述第二金属层进行图案化，以去除所述第二金属层的在所述开口的侧壁之上和在所述台阶之上的一部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第二开口的宽度大于所述第一开口的宽度。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一开口的侧壁与所述第一开口的底部的夹角为钝角；

所述第二开口的侧壁与所述台阶的夹角为钝角。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一开口的侧壁与所述第一开口的底部的夹角的范围为100°至110°；

所述第二开口的侧壁与所述台阶的夹角的范围为100°至110°。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，刻蚀所述半导体层以形成露出所述层间电介质层的开口的步骤包括：

在所述半导体层上形成图案化的第一掩模层，所述第一掩模层具有露出所述半导体层上表面的一部分的穿孔；

以所述第一掩模层为掩模，刻蚀所述半导体层以形成凹口；

在形成所述凹口之后，去除所述第一掩模层的一部分以扩大所述穿孔，从而露出所述半导体层的在所述凹口周围的另一部分；

对所述凹口和所露出的所述半导体层的所述另一部分进行刻蚀，以形成露出所述层间电介质层的一部分的第一开口和在所述第一开口之上的第二开口；以及

去除所述第一掩模层。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，

通过控制刻蚀气体的含量来去除所述第一掩模层的所述部分，以扩大所述穿孔。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，

所述刻蚀气体包括氧气。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

刻蚀处在所述第一开口的底部的所述绝缘物层的部分和所述层间电介质层的部分以形成露出所述第一金属层的一部分的凹槽的步骤包括：

在形成所述绝缘物层之后的半导体结构上形成图案化的第二掩模层，其中所述第二掩模层露出处在所述第一开口底部的所述绝缘物层的部分；

以所述第二掩模层为掩模，刻蚀所露出的所述绝缘物层的部分和在所述绝缘物层下面的所述层间电介质层的部分以形成凹槽，所述凹槽露出所述第一金属层的一部分；以及

去除所述第二掩模层。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

对所述第二金属层进行图案化，以去除所述第二金属层的在所述开口的侧壁之上和在所述台阶之上的一部分的步骤包括：

在所述第二金属层上形成图案化的第三掩模层，其中所述第三掩模层露出所述第二金属层的在所述开口的侧壁之上和在所述台阶之上的一部分；

以所述第三掩模层为掩模，去除所述第二金属层的被露出部分；以及

去除所述第三掩模层。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述层间电介质层的材料包括二氧化硅；

所述半导体层的材料包括硅；

所述第一金属层的材料包括铝；

所述绝缘物层的材料包括二氧化硅；

所述第二金属层的材料包括铝。