[发明专利]制造半导体装置的方法在审
申请号: | 201710333455.9 | 申请日: | 2017-05-12 |
公开(公告)号: | CN107369610A | 公开(公告)日: | 2017-11-21 |
发明(设计)人: | 乌尔苏拉·赫德尼希;托马斯·格里勒;马库斯·奥托维茨;卡斯滕·万科布林斯基 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 王萍,李春晖 |
地址: | 德国瑙伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了一种用于制造半导体装置的方法以及设备。该方法包括将晶片设置在支承件上;覆盖晶片的中心晶片部分;以及从晶片切去晶片的边缘晶片部分。根据设备的实施方式,该设备包括被配置成支承晶片的支承件;被配置成覆盖晶片的中心晶片部分的遮挡装置;以及被配置成从晶片切去晶片的边缘晶片部分的切割装置。 | ||
搜索关键词: | 制造 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种方法,包括:将晶片设置在支承件上;覆盖所述晶片的中心晶片部分;以及从所述晶片切去所述晶片的边缘晶片部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造