[发明专利]制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

将晶片设置在支承件上；

覆盖所述晶片的中心晶片部分；以及

从所述晶片切去所述晶片的边缘晶片部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，覆盖所述晶片的所述中心晶片部分包括在所述晶片的所述中心晶片部分之上设置遮挡装置。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述晶片的所述中心晶片部分具有均匀的厚度。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述晶片的所述边缘晶片部分的厚度大于所述晶片的所述中心晶片部分的厚度。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述遮挡装置的轮廓遵循形成在所述晶片的所述中心晶片部分与所述晶片的所述边缘晶片部分邻接的位置处的台阶的外周轮廓。

6.根据权利要求2所述的方法，其中，所述遮挡装置的刚度大于所述晶片的所述中心晶片部分的刚度。

7.根据权利要求2所述的方法，其中，所述遮挡装置包括板，所述板由从金属、塑料以及这些材料的任意组合或衍生物构成的组中选择的材料形成。

8.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述晶片的所述中心晶片部分之上设置所述遮挡装置包括在所述晶片的所述中心晶片部分的表面与所述遮挡装置之间留有空间。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括对在所述中心晶片部分的表面与所述遮挡装置之间的所述空间进行加压。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述遮挡装置包括被配置为用于气体的通道的开口，并且其中，对在所述中心晶片部分的表面与所述遮挡装置之间的所述空间进行加压包括通过所述开口提供气体，并且使所述气体进入在所述晶片的所述中心晶片部分的表面与所述遮挡装置之间的所述空间。

11.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述晶片的所述中心晶片部分之上设置所述遮挡装置包括在所述晶片的所述中心晶片部分的表面上设置所述遮挡装置。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，从所述晶片切去所述晶片的所述边缘晶片部分包括用激光束切去所述边缘晶片部分。

13.一种设备，包括：

被配置成支承晶片的支承件；

被配置成覆盖所述晶片的中心晶片部分的遮挡装置；以及

被配置成从所述晶片切去所述晶片的边缘晶片部分的切割装置。

14.根据权利要求13所述的设备，其中，所述遮挡装置的刚度大于所述晶片的刚度。

15.根据权利要求14所述的设备，其中，所述遮挡装置包括金属板。

16.根据权利要求14所述的设备，其中，所述遮挡装置被配置为具有一个轮廓，所述轮廓遵循形成在所述晶片的所述中心晶片部分与所述晶片的所述边缘晶片部分邻接的位置处的台阶的外周轮廓，其中，所述晶片的所述中心晶片部分比所述晶片的所述边缘晶片部分薄。

17.根据权利要求14所述的设备，其中，所述遮挡装置在所述晶片的所述中心晶片部分处与所述晶片的表面间隔开。

18.根据权利要求14所述的设备，其中，所述遮挡装置包括被配置成将气体引导至所述遮挡装置与所述晶片的所述中心晶片部分的表面之间的空间中的通道。

19.根据权利要求14所述的设备，其中，所述遮挡装置包括被配置成将流体引导至所述遮挡装置与所述晶片的所述中心晶片部分的表面之间的空间中的通道。

20.根据权利要求13所述的设备，其中，所述切割装置包括激光器。