[发明专利]制造半导体装置的方法在审
申请号: | 201710333455.9 | 申请日: | 2017-05-12 |
公开(公告)号: | CN107369610A | 公开(公告)日: | 2017-11-21 |
发明(设计)人: | 乌尔苏拉·赫德尼希;托马斯·格里勒;马库斯·奥托维茨;卡斯滕·万科布林斯基 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 王萍,李春晖 |
地址: | 德国瑙伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 半导体 装置 方法 | ||
技术领域
本申请涉及制造半导体装置的方法。
背景技术
在提供用于半导体装置的半导体基板的晶片上制造诸如微机电系统(MEMS)的半导体装置。晶片的直径可以等于或大于300mm。晶片的厚度可以小于300μm。这样的晶片可能容易断裂。为了加固晶片使其免于断裂,晶片可以被设置有所谓的太鼓(Taiko)环,所述太鼓环的厚度比半导体晶片的其中制造半导体装置的中心部分的厚度大。太鼓环围绕半导体晶片的中心部分,并降低半导体晶片断裂的风险。
在制造工艺的某个阶段,必须去除太鼓环。从晶片的中心部分切去太鼓环会释放颗粒。一些颗粒可能停留在晶片的表面上,其中颗粒可以作为杂质危及在晶片上的半导体装置的功能。例如,声音传感器需要用于可移动的麦克风膜的腔。停留在腔内的杂质颗粒可以影响麦克风膜移动的方式,从而改变声音传感器对撞击麦克风膜的压力波的响应。
发明内容
根据方法的实施方式,该方法包括:将晶片设置在支承件上;覆盖晶片的中心晶片部分;以及从晶片切去晶片的边缘晶片部分。
根据设备的实施方式,该设备包括:被配置成支承晶片的支承件;被配置成覆盖晶片的中心晶片部分的遮挡装置;以及被配置成从晶片切去晶片的边缘晶片部分的切割装置。
附图说明
包括附图以提供对实施方式的进一步理解,并且附图被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了实施方式,并且与描述一起用于解释实施方式的原理。将容易地理解其他实施方式以及实施方式的许多预期的优点,因为通过参考以下详细描述,其他实施方式以及实施方式的许多预期的优点将变得更好理解。附图的元件不一定相对于彼此成比例。相同的附图标记表示相应的相似部件。
图1示出了用于处理晶片的设备的实施方式的截面侧视图。
图2示出了制造半导体装置的方法的实施方式的流程图。
图3示出了用于处理晶片的设备的实施方式的截面侧视图。
具体实施方式
在下面的详细描述中,参考形成详细描述的一部分的附图,并且在附图中示出了可以实践本发明的具体实施方式。在这方面,参考图的取向使用诸如“顶”、“底”、“前”、“后”、“头”、“尾”等方向术语进行描述。因为实施方式的部件可以被定位在许多个不同的取向中,所以方向术语用于说明的目的,而不是限制。应当理解,在不脱离本发明的范围的情况下,可以利用其他实施方式并进行结构或逻辑上的改变。因此,以下详细描述不被认为是限制性的,并且本发明的范围由所附权利要求限定。应当理解,除非另有特别说明,否则本文所述的各种示例性实施方式的特征可以彼此组合。
图1示出了用于处理诸如晶片120的工件的设备100的实施方式的截面侧视图。设备100被配置为用于制造半导体装置的工具。一方面,半导体装置或半导体装置芯片的实施方式可以包括具有互连以形成诸如处理器、控制器或任何其他合适类型的装置众多装置的许多(例如,数千或数百万)个晶体管的集成电路。另一方面,半导体装置可以包括仅具有单个晶体管的实施方式,例如功率MOSFET。在其他实施方式中,该装置不包括任何晶体管(例如,MEMS装置)。
设备100包括被设置为卡盘110的支承件,卡盘110被配置成支承工件,例如晶片120。设备100包括被设置为激光工具130的切割装置,激光工具130被配置成发射激光束132。此外,根据本文公开的各种实施方式,设备100包括遮挡装置140,其被示出为被配置成覆盖晶片120的至少一部分的盖板140。
在所示的实施方式中,卡盘110可以包括卡盘基座、转台以及被配置成将转台支承在卡盘基座(未示出)上的轴承。在一些实施方式中,设备100包括驱动单元(未示出)。在一些实施方式中,驱动单元被配置成接收控制信号,并且基于控制信号来移动转台。在一些实施方式中,转台设置有驱动单元,该驱动单元被配置成围绕旋转轴线115相对于卡盘110的卡盘基座旋转转台,在一些实施方式中,旋转轴线基本上是竖直的。在一些实施方式中,驱动单元被配置成使转台相对于卡盘110的卡盘基座横向移动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造