[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201710271947.X | 申请日： | 2017-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN107452687B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 金善大;白亨吉;赵允来;白南奎 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L27/02 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘培培 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：半导体基板，包括主芯片区域及与主芯片区域相邻的划线通道区域，划线通道区域包括与主芯片区域相邻的第一区及与第一区相邻的第二区；绝缘层，安置在半导体基板上；第一压印结构，在绝缘层的与第一区对应的第一区域中安置在所述绝缘层的第一表面上；第二压印结构，在绝缘层的与第二区对应的第二区域中安置在所述绝缘层的第一表面上；以及挡坝结构，在与第一压印结构对应的位置处设置在绝缘层的第一区域中，挡坝结构在和绝缘层的与半导体基板相邻的第二表面所垂直的方向上延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体基板，包括主芯片区域及与所述主芯片区域相邻的划线通道区域，所述划线通道区域包括与所述主芯片区域相邻的第一区及与所述第一区相邻的第二区；绝缘层，安置在所述半导体基板上；第一压印结构，在所述绝缘层的与所述划线通道区域的所述第一区对应的第一区域中安置在所述绝缘层的第一表面上；第二压印结构，在所述绝缘层的与所述划线通道区域的所述第二区对应的第二区域中安置在所述绝缘层的所述第一表面上；以及挡坝结构，在与所述第一压印结构对应的位置处设置在所述绝缘层的所述第一区域中，所述挡坝结构在和所述绝缘层的与所述半导体基板相邻的第二表面所垂直的方向上延伸。
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