[发明专利]晶圆级芯片封装结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种晶圆级芯片封装结构及其制作方法，实现了有效芯片的重组，通过将原始晶圆切割成单颗芯片，并对芯片进行检测，将检测良好的芯片直接与一具有围堰的基板进行重组，可构成8寸或12寸重组晶圆，接着再对其进行晶圆级封装，将芯片基底的功能层焊垫的电性通过金属互连结构引至基底背面，可避免对无效芯片进行封装，浪费时间、封装材料以及人力，既节约了成本又提高了产品的良率。此外,本发明中，在形成单颗芯片封装体之前，不需要在切割道位置蚀刻硅槽和预切割，简化了工艺步骤。

主权项

1.一种晶圆级芯片封装结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：/nA.提供一具有若干芯片的原始晶圆，将原始晶圆切割成单颗芯片，并挑拣出性能良好的芯片，所述芯片包括基底及其正面的功能层，所述功能层包括功能区和位于所述功能区周边的若干焊垫；/nB.提供一基板，所述基板上表面通过微影技术设置与若干所述芯片一一对应的围堰，将挑拣出的多颗芯片的功能层与基板上表面通过围堰键合，且相邻芯片之间具有间隙，形成重组晶圆；/nC.在重组晶圆的各相邻芯片之间设置填充层，所述填充层将相邻芯片之间的空隙填满，设置填充层的方式包括压膜、注塑；然后将芯片基底上的填充层除去。/n