[发明专利]晶圆级芯片封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种晶圆级芯片封装结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

A.提供一具有若干芯片的原始晶圆，将原始晶圆切割成单颗芯片，并挑拣出性能良好的芯片，所述芯片包括基底及其正面的功能层，所述功能层包括功能区和位于所述功能区周边的若干焊垫；

B.提供一基板，所述基板上表面通过微影技术设置与若干所述芯片一一对应的围堰，将挑拣出的多颗芯片的功能层与基板上表面通过围堰键合，且相邻芯片之间具有间隙，形成重组晶圆；

C.在重组晶圆的各相邻芯片之间设置填充层，所述填充层将相邻芯片之间的空隙填满，设置填充层的方式包括压膜、注塑；然后将芯片基底上的填充层除去。

2.根据权利要求1所述晶圆级芯片封装结构的制作方法，其特征在于，步骤C之后，还有：

D.通过晶圆级封装方法，在各芯片基底上开设通孔，开设方式包括微影技术和刻蚀，通孔由基底背面向正面延伸，露出焊垫表面；

E.在通孔内壁及基底背面沉积绝缘层，将通孔底部的绝缘层除去，露出焊垫表面；

F.在绝缘层上铺设金属层，所述金属层覆盖焊垫表面；

G.图案化金属层，形成金属重布线层；

H.在金属重布线层上设置阻焊层，并在预设导电体位置设开口；

I.在开口内设置导电体，连接金属重布线层；

J.沿两相邻芯片之间的填充层位置切割重组晶圆，形成单颗的芯片封装体。

3.根据权利要求2所述晶圆级芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述绝缘层或/和阻焊层延伸覆盖在所述填充层上表面上。

4.根据权利要求2所述晶圆级芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述功能层与一基板通过围堰键合后形成一将芯片的功能区收容在内的密封空腔，所述密封空腔内为真空环境。