[发明专利]一种半导体光探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 201710264851.0 | 申请日： | 2017-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN107221571A | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 汪莱;郑纪元;吴星曌;郝智彪;罗毅 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/109;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250 | 代理人： | 张建纲 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体光探测器及其制备方法，包括该探测器为pipin结构，在衬底上依次包括n型层、i型倍增层、p型电荷层、i型光敏吸收层、p型滤光层；n型层上设置有n型欧姆电极，p型滤光层上设置有p型欧姆电极；所述p型滤光层和n型层构成pn结；所述p型滤光层和i型光敏吸收层为异质结；其中，所述p型滤光层禁带宽度大于所述i型光敏吸收层的禁带宽度；且所述p型滤光层为接收入射光的结构层。正是由于p型滤光层和i型光敏吸收层为异质结，可以构成一个滤波窗口，故只有符合波长要求的光被吸收层吸收，产生载流子，从而大大增强半导体光敏探测器的波长选择性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体光探测器，其特征在于，该探测器为pipin结构，在衬底上依次包括：n型层、i型倍增层、p型电荷层、i型光敏吸收层、p型滤光层；n型层上设置有n型欧姆电极，p型滤光层上设置有p型欧姆电极；所述p型滤光层和n型层构成pn结；所述p型滤光层和i型光敏吸收层为异质结；其中，所述p型滤光层禁带宽度大于所述i型光敏吸收层的禁带宽度；且所述p型滤光层为接收入射光的结构层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
