[发明专利]一种半导体光探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体光探测器，其特征在于，该探测器为pipin结构，在衬底上依次包括：n型层、i型倍增层、p型电荷层、i型光敏吸收层、p型滤光层；n型层上设置有n型欧姆电极，p型滤光层上设置有p型欧姆电极；所述p型滤光层和n型层构成pn结；

所述p型滤光层和i型光敏吸收层为异质结；其中，所述p型滤光层禁带宽度大于所述i型光敏吸收层的禁带宽度；且所述p型滤光层为接收入射光的结构层。

2.根据权利要求1所述的探测器，其特征在于，

所述p型滤光层的材料为Al_aGa_bIn_(1-a-b)N(0≤a≤1,0≤b≤1,0≤a+b≤1)；

所述i型光敏吸收层的材料为Al_cGa_dIn_(1-c-d)N(0≤c≤1,0≤d≤1,0≤c+d≤1)。

3.根据权利要求2所述的探测器，其特征在于，

所述n型层的材料为Al_uGa_vIn_(1-u-v)N(0≤u≤1,0≤v≤1,0≤u+v≤1)；

所述i型倍增层的材料为Al_wGa_xIn_(1-w-x)N和Al_yGa_zIn_(1-y-z)N，其中，0≤w≤1,0≤x≤1,0≤w+x≤1,0≤y≤1,0≤z≤1,0≤y+z≤1；Al_wGa_xIn_(1-w-x)N和Al_yGa_zIn_(1-y-z)N两种材料周期性交替设置；所述Al_wGa_xIn_(1-w-x)N的禁带宽度小于Al_yGa_zIn_(1-y-z)N的禁带宽度；

所述p型电荷层的材料为Al_eGa_fIn_(1-e-f)N(0≤e≤1,0≤f≤1,0≤e+f≤1)。

4.根据权利要求3所述的探测器，其特征在于，所述p型滤光层的厚度为10nm～3μm。

5.根据权利要求3所述的探测器，其特征在于，所述p型电荷层的厚度为10nm～3μm。

6.一种半导体光探测器的制备方法，适用于权利要求1所述的探测器，其特征在于，该方法包括：

在衬底基础上生长一层n型层；

在所述n型层上生长一层i型倍增层；

在所述i型倍增层上生长一层p型电荷层；

在所述p型电荷层上生长一层i型光敏吸收层；

在所述i型光敏吸收层上生长一层p型滤光层；

所述n型层上设置有n型欧姆电极，p型滤光层上设置有p型欧姆电极；所述p型滤光层和n型层构成pn结；所述p型滤光层和i型光敏吸收层为异质结；其中，所述p型滤光层禁带宽度大于所述i型光敏吸收层的禁带宽度；且所述p型滤光层为接收入射光的结构层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，

所述p型滤光层的材料为Al_aGa_bIn_(1-a-b)N(0≤a≤1,0≤b≤1,0≤a+b≤1)；

所述i型光敏吸收层的材料为Al_cGa_dIn_(1-c-d)N(0≤c≤1,0≤d≤1,0≤c+d≤1)。